IT之家訊 8月6日消息，日前，閃迪和東芝兩家閃存廠商不約而同，宣布了旗下最新3D NAND技術(shù)的閃存芯片即將問世，速度將大幅提升，同時能耗將進一步降低。
閃迪和東芝宣布開發(fā)出了世界第一款48層3D NAND閃存，采用3bit/cell多值化技術(shù)，容量為32GB。目前，閃迪方面已經(jīng)開始試產(chǎn)“256Gbit X3”芯片，而東芝預(yù)計將于2015年9月開始供應(yīng)樣片。據(jù)悉，該芯片采用了15納米工藝，比市面上最優(yōu)秀的商用閃存芯片電路密度提高了2倍、存儲速度提高4-5倍，而能耗將進一步降低。并且，因為采用了3D堆棧技術(shù)，新芯片的面積將縮小，非常適合智能手機、平板電腦之類的設(shè)備。
目前，閃迪和東芝是蘋果iPhone6、iPhone6 Plus的主要閃存芯片供應(yīng)商，而且，據(jù)消息透露，兩家廠商已經(jīng)基本完成了向下一代蘋果iPhone6s、iPhone6s Plus第一階段的供貨任務(wù)。也就是說，明年iPhone7很可能會搭載上述兩家廠商的新型3D NAND閃存芯片，這將讓iPhone7在儲存能力、數(shù)據(jù)傳輸速度上獲得飛躍。
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