IT之家訊 4月3日消息，作為UFS閃存標(biāo)準(zhǔn)的締造者和領(lǐng)導(dǎo)者，三星在今年2月底發(fā)布了全球首款容量高達(dá)256GB的UFS2.0閃存芯片，受到了業(yè)界的極大關(guān)注。
目前，Sammobile最新透露了三星這款閃存的最新消息，可以看到該UFS芯片型號(hào)為KLUEG8U1EM-B0B1，芯片封裝尺寸為11.5x13x1.2mm，僅在厚度上比32GB芯片厚了0.2mm，其MLC采用的是雙傳輸信道的G3 2Lane規(guī)格，據(jù)三星官方宣稱該閃存最高讀取速度為850MB/S，而寫入速度為260MB/S，讀/寫操作IOPS分別可達(dá)45,000、40,000，可以說是目前最快的閃存芯片之一了。
據(jù)稱這塊閃存芯片目前已經(jīng)成功流片，同時(shí)三星公司正在加緊進(jìn)行測試，相信距離大規(guī)模量產(chǎn)的時(shí)間不久了，或許三星下半年的旗艦Galaxy Note6將會(huì)用上這塊目前為止最為強(qiáng)大的閃存芯片。
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