隨著現(xiàn)在手機(jī)、平板等大儲(chǔ)存需求的日益增多，相關(guān)的芯片生產(chǎn)廠商，也在升級(jí)自身的產(chǎn)品線，比如Western Digital(西部數(shù)據(jù))今天推出了新一代iNAND嵌入式閃存芯片產(chǎn)品，分別支持UFS和eMMC兩種標(biāo)準(zhǔn)類型，均基于SanDisk的64層3D堆疊技術(shù)，容量為256GB。
單從性價(jià)比方面考慮，iNAND 7550支持eMMC5.1標(biāo)準(zhǔn)，連續(xù)寫(xiě)入速度260MB/s，隨機(jī)讀取20K、寫(xiě)入15K。這個(gè)表現(xiàn)力中規(guī)中矩。
為了滿足未來(lái)發(fā)展的5G網(wǎng)絡(luò)時(shí)代需求，據(jù)詳細(xì)數(shù)據(jù)顯示，iNAND 8521支持UFS2.1，第五代智能SLC技術(shù)(小容量SLC做緩存)，連續(xù)寫(xiě)入速度比當(dāng)下的iNAND 7232(eMMC 5.1)提升了1倍(600MB/s)，隨機(jī)讀取更是快了10倍。
大儲(chǔ)存是未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)，隨著更多廠商生產(chǎn)大儲(chǔ)存芯片，說(shuō)不定手機(jī)廠商未來(lái)采購(gòu)價(jià)也會(huì)呈現(xiàn)下跌趨勢(shì)，消費(fèi)者也會(huì)獲得一些利益。
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