IT之家5月11日消息 根據(jù)外媒的報道，AMD的第三代Ryzen（3000系列）處理器將克服舊款Ryzen芯片面臨的內(nèi)存限制問題。AMD現(xiàn)已將內(nèi)存控制器與CPU內(nèi)核分離，以“IO die”獨立芯片的方式單獨呈現(xiàn)。
根據(jù)外媒的消息，在內(nèi)存超頻方面，第三代Ryzen處理器將能夠與英特爾同行相匹敵。在Zen 2 BIOS中，內(nèi)存頻率選項一直支持到“DDR4-5000”。DRAM時鐘仍然與AMD 的Infinity Fabric（IF）相關(guān)聯(lián)，這意味著在DDR4-5000時，Infinity Fabric也將在5000 MHz DDR上運行。由于該速率對于IF來說是遙不可及的，因此AMD決定為其片上總線添加新的1/2分頻器模式。啟用后，它將以DRAM實際時鐘的一半運行Infinity Fabric。
這可能會成為AMD X570芯片組主板的另一個賣點，因為它比舊款芯片組的主板具有內(nèi)存頻率的優(yōu)勢。外媒還發(fā)現(xiàn)新的平臺增加了SoC OC模式和VDDG電壓控制。外媒稱從幾個消息來源獲悉，AMD在提高內(nèi)存兼容性方面投入了大量資金，特別是在三星停止使用B-die DRAM芯片之后。
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