IT之家9月8日消息 不久前，三星開始出貨首批1z納米（12-14nm）光刻工藝的A Die芯片，外媒WCCFTECH認(rèn)為，A Die芯片的出現(xiàn)將使得DDR4 內(nèi)存更加便宜。
WCCFTECH表示，三星的DDR4 B Die是在20nm制程上制造的，價(jià)格相對(duì)昂貴，但卻受到了世界各地超頻愛好者的喜愛，因?yàn)檫@些內(nèi)存可以達(dá)到非常高時(shí)鐘速度。
相比之下，三星的A Die采用1z nm制程，這將使三星在大幅降低RAM價(jià)格的同時(shí)增加產(chǎn)量。
雖然10nm制程具有更高的規(guī)模經(jīng)濟(jì)效益和更小的物理模具，但也存在一些問題。三星A-die內(nèi)存編號(hào)M378A4G43AB2-CVF，支持高密度雙面設(shè)計(jì)，容量32 GB，時(shí)鐘速度沒有什么特別之處(2933 MHz)，但是CL21-21-21的時(shí)序卻很高。相比之下，大多數(shù)DDR4三星B Die在這個(gè)頻率下可以低至CL17。不過，值得注意的是，隨著三星流程的成熟，這一點(diǎn)可能會(huì)得到改善。
WCCFTECH認(rèn)為，三星的B-die可能突然變得昂貴得多。英國電子零售商MemoryCow已將三星M378A4G43AB2-CVF模塊上市，售價(jià)128.33英鎊，約1100元。
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