IT之家12月5日消息 根據(jù)長鑫儲(chǔ)存官方的消息，長鑫存儲(chǔ)與 WiLAN 全資子公司 Polaris Innovations Limited 達(dá)成專利許可協(xié)議和專利采購協(xié)議。 依據(jù)專利許可協(xié)議，長鑫存儲(chǔ)從 Polaris 獲得大量 DRAM 技術(shù)專利的實(shí)施許可。這些專利來自 Polaris 于2015年6月從奇夢(mèng)達(dá)母公司英飛凌購得的專利組合。
依據(jù)獨(dú)立的專利采購協(xié)議，長鑫存儲(chǔ)從 Polaris 購得相當(dāng)數(shù)量的 DRAM 專利。據(jù)悉，長鑫存儲(chǔ)的事業(yè)2016年在安徽合肥啟動(dòng)，專業(yè)從事DRAM 的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。
根據(jù)之前的報(bào)道，長鑫存儲(chǔ)科技有限公司已經(jīng)開始使用19納米制造技術(shù)生產(chǎn)DDR4內(nèi)存。目前，該公司已經(jīng)制定了至少兩個(gè)10納米級(jí)制造工藝的路線圖，并計(jì)劃在未來生產(chǎn)所有類型的DRAM。不僅如此，長鑫存儲(chǔ)還計(jì)劃再建兩個(gè)晶圓廠來提高產(chǎn)量。
目前，長鑫存儲(chǔ)正使用其10G1工藝技術(shù)(即19nm工藝)來制造4GB和8GB的DDR4內(nèi)存芯片，目標(biāo)是在2020年第一季度上市。長鑫存儲(chǔ)還將使用同樣的技術(shù)將在2020年下半年制造LPDDR4X內(nèi)存。該公司的技術(shù)路線圖包括17nm的DDR4、LPDDR4X、DDR5和LPDDR5內(nèi)存。
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