IT之家1月2日消息 據(jù)韓媒koreaherald報(bào)道，三星電子事實(shí)上的領(lǐng)導(dǎo)者李在镕周四討論了該公司將利用全球首個(gè)3納米工藝技術(shù)制造芯片的戰(zhàn)略。
李在镕當(dāng)天參觀了三星位于京畿道華城的半導(dǎo)體研發(fā)中心，這是他在2020年首次正式進(jìn)行現(xiàn)場管理。李在镕談到了該公司的計(jì)劃，該計(jì)劃旨在使用正在開發(fā)中的最新3納米全柵極(gate-all-around，簡稱GAA)工藝技術(shù)，使全球客戶訂購的尖端芯片商業(yè)化。
GAA被稱為當(dāng)前FinFET技術(shù)的升級版，該技術(shù)能夠使芯片制造商將微芯片的制造工藝進(jìn)一步提升。
三星去年4月完成了基于極端紫外線技術(shù)的5納米FinFET工藝技術(shù)的開發(fā)，該公司正在研究下一代納米工藝技術(shù)。三星稱，與5納米制程相比，3納米GAA技術(shù)在邏輯區(qū)域效率方面提高了35%以上，功耗降低了50%，性能提高了約30%。
三星發(fā)言人說：“李在镕對半導(dǎo)體研發(fā)中心的訪問，再次凸顯了三星承諾成長為非內(nèi)存領(lǐng)域頂級芯片制造商的承諾?！?/p>
去年，三星宣布了一項(xiàng)1118.5億美元的投資計(jì)劃，目標(biāo)是到2030年成為全球最大的芯片系統(tǒng)制造商。
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