1月19日消息，10nm工藝量產時間延遲，英特爾在芯片工藝方面已經落后于準備量產5nm工藝的臺積電，也落后于三星，但外媒在報道中透露，英特爾的7nm工藝，理論上不會受到10nm工藝延遲的影響。
從外媒的報道來看，7nm工藝理論上不會受到10nm工藝延遲的影響，可能還是同采用新的技術有關，其是基于極紫外光刻（EUV）的獨立的制程。
雖然英特爾的7nm工藝理論上不會受到10nm工藝延遲的影響，但其在這一工藝的采用方面還是落后于臺積電和三星，為蘋果、華為等公司代工芯片的臺積電，在2018年就已率先量產7nm芯片，今年已是7nm投產的第三個年頭，更先進的5nm工藝也即將量產，臺積電方面預計今年可貢獻10%的營收。
而反觀英特爾，他們的7nm芯片目前還尚未推出，預計要在明年才會推出。
在去年5月份的英特爾投資者會議上，英特爾首席工程官兼技術、系統(tǒng)架構和客戶集團的總裁Murthy Renduchintala曾透露，7nm是英特爾首次采用EUV技術，性能預計可提升20%，首款產品預計是用于數據中心人工智能和高性能計算的通用GPU，預計在2021年推出。
另外在此前所披露的未來十年的技術路線圖中，7nm工藝也是計劃在明年推出，2023年則會是更先進的5nm工藝。
外媒在10nm工藝延遲理論上不會影響7nm工藝的報道中，也提到了英特爾7nm芯片的量產事宜，英特爾CEO鮑勃·斯旺(Robert Swan)透露英特爾的首款7nm芯片在將在2021年四季度生產。外媒在報道中也提到，英特爾似乎已準備在明年四季度推出7nm（相當于臺積電的5nm）的產品。
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