IT之家 8 月 13 日消息 今晚，英特爾正式推出了 10 納米 SuperFin 技術(shù)，官方稱這是該公司有史以來最為強(qiáng)大的單節(jié)點(diǎn)內(nèi)性能增強(qiáng)，帶來的性能提升可與全節(jié)點(diǎn)轉(zhuǎn)換相媲美。
英特爾表示，經(jīng)過多年對 FinFET 晶體管技術(shù)的改進(jìn)，英特爾正在重新定義該技術(shù)，以實(shí)現(xiàn)其歷史上最強(qiáng)大的單節(jié)點(diǎn)內(nèi)性能增強(qiáng)。10nm SuperFin 技術(shù)擁有以下特點(diǎn)：
增強(qiáng)源極和漏極上晶體結(jié)構(gòu)的外延長度，從而增加應(yīng)變并減小電阻，以允許更多電流通過通道
改進(jìn)柵極工藝以實(shí)現(xiàn)更高的通道遷移率，從而使電荷載流子更快地移動(dòng)
提供額外的柵極間距選項(xiàng)可為需要最高性能的芯片功能提供更高的驅(qū)動(dòng)電流
使用新型薄壁阻隔將過孔電阻降低了 30%，從而提升了互連性能表現(xiàn)
與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)相比，在同等的占位面積內(nèi)電容增加了 5 倍，從而減少了電壓下降，顯著提高了產(chǎn)品性能。該技術(shù)由一類新型的 “高 K”（ Hi-K）電介質(zhì)材料實(shí)現(xiàn)，該材料可以堆疊在厚度僅為幾埃厚的超薄層中，從而形成重復(fù)的 “超晶格”結(jié)構(gòu)。這是一項(xiàng)行業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的技術(shù)，領(lǐng)先于其他芯片制造商的現(xiàn)有能力。
IT之家了解到，10nm SuperFin技術(shù)將運(yùn)用于代號(hào)為“Tiger Lake”的英特爾下一代移動(dòng)處理器中。Tiger Lake正在生產(chǎn)中，OEM的產(chǎn)品將在假日季上市。
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