公元 2020 年 9 月 4 日，一則“我國將把大力發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)寫入‘十四五’規(guī)劃”的消息引爆市場，引起第三代半導(dǎo)體概念股集體沖高漲停，場面十分壯觀。
暴漲逆襲之間，“第三代半導(dǎo)體”成了瘋狂刷屏的明星詞，人們驚呼下一個(gè)風(fēng)口來了。
巧合的是，華為消費(fèi)者業(yè)務(wù) CEO 余承東在 8 月 7 日接受采訪時(shí)也曾表示：
現(xiàn)在我們從第二代半導(dǎo)體進(jìn)入第三代半導(dǎo)體時(shí)代，希望在一個(gè)新的時(shí)代實(shí)現(xiàn)領(lǐng)先。在終端的多個(gè)器件上，華為都在投入。華為也帶動了一批中國企業(yè)公司的成長，包括射頻等等向高端制造業(yè)進(jìn)行跨越。
第三代半導(dǎo)體到底是什么？為什么會突然被炒上天？在中國芯片產(chǎn)業(yè)被美國強(qiáng)勢打壓下，第三代半導(dǎo)體又在扮演什么角色？
今天IT之家就和大家好好聊一聊。
一、第三代半導(dǎo)體是什么？
看到第三代半導(dǎo)體，你肯定會想第一代、第二代是什么。這里的“代際”，是根據(jù)半導(dǎo)體制造材料來劃分的。
在《兵進(jìn)光刻機(jī)，中國芯片血勇突圍戰(zhàn)》一文中，IT之家曾介紹，芯片制造的第一步是從沙子里提煉出高純度的硅。
硅，就是制造半導(dǎo)體最早的材料之一，也是第一代半導(dǎo)體。
以下是三代半導(dǎo)體最主要的材料：
第一代半導(dǎo)體：硅、鍺；
第二代半導(dǎo)體：砷化鎵、磷化銦；
第三代半導(dǎo)體：氮化鎵、碳化硅。
半導(dǎo)體材料發(fā)展到第三代，肯定是因?yàn)榈?、碳化硅相比前兩代有?yōu)勢，才會被重用。那么它有什么優(yōu)勢呢？
IT之家搜索資料，發(fā)現(xiàn)答案是這樣的：
更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速率、更高的抗輻射能力……
每個(gè)字都認(rèn)得，但連起來就看不懂了。
所以接下來IT之家不妨就來給大伙翻譯翻譯。
不過這個(gè)解釋的過程可能會涉及一些理化方面的知識，稍微有一丟丟的深。大家如果不想看，也可以直接跳到本部分的第 3 小節(jié)。
1、半導(dǎo)體的工作原理
要理解這些，我們要從什么是半導(dǎo)體說起。
半導(dǎo)體，顧名思義，就是導(dǎo)電性在絕緣體和導(dǎo)體之間的物體。
導(dǎo)體能導(dǎo)電，意思就是能夠讓電流通過。而中學(xué)物理告訴我們，電流就是自由電子在電場力的作用下做定向運(yùn)動形成的。
所以，導(dǎo)體中必須有大量的自由電子。那么這些自由電子怎么來的呢？
我們知道，物質(zhì)是由分子構(gòu)成的，分子是由原子構(gòu)成的，原子是由原子核以及圍繞在周圍的電子構(gòu)成的。
原子核帶正電荷，電子帶負(fù)電荷，異性相吸，所以電子圍繞在原子核周圍不停地轉(zhuǎn)。
這原子核，就像古代富貴家族的大公子哥，特別帥，有一種獨(dú)特的吸引力，能吸引三妻四妾（電子）圍在他身邊。
妻妻妾妾嫁進(jìn)公子哥的家族后，那些住得和丈夫比較近的，天天耳鬢廝磨，感情深厚，自然不離不棄。
而和丈夫住得比較遠(yuǎn)的妾們，和公子的感情比較淡，空守寂寞，久而久之，自然就有一種擺脫家族婚姻束縛，追求自由愛情的沖動。
就好像那句著名的詩：一枝啥啥出墻來，大家懂的。
事實(shí)上，在她們面前，真的有一道墻，家族豪宅的圍墻，這道墻阻礙了她們對自由的向往。
對應(yīng)到物理學(xué)上，大家族豪宅內(nèi)的區(qū)域，叫做原子核周圍的“價(jià)帶”，而那道墻，叫做禁帶，墻外的區(qū)域，叫做導(dǎo)帶。
其中，禁帶是不能存在電子的，就好像有人想追求自由，她不可能騎在墻頭上光明正大地和隔壁的王公子約會，她只會想辦法穿過那道墻。
物質(zhì)也是如此，價(jià)帶邊緣的電子，更有一種擺脫原子核束縛，穿越禁帶，來到導(dǎo)帶，成為自由電子的趨向和可能。
換句話說，只要電子能夠越過禁帶，來到導(dǎo)帶，成為自由電子，那么物體就能導(dǎo)電。
所以，禁帶就成了區(qū)分導(dǎo)體和絕緣體的關(guān)鍵。
通常，導(dǎo)體的禁帶非常窄，甚至沒有，所以價(jià)帶的電子很容易來到導(dǎo)帶成為自由電子，因此導(dǎo)體是能導(dǎo)電的。
絕緣體的禁帶非常寬，價(jià)帶的電子怎么也越不過去，所以絕緣體是不導(dǎo)電的。
而半導(dǎo)體呢，它的禁帶寬度介于絕緣體和導(dǎo)體之間，價(jià)帶的電子是有機(jī)會來到導(dǎo)帶的，只是需要一些外部的能量。
這外部的能量，可以是陽光，也可以是其他，例如額外的電壓。
也就是說，給它施加一個(gè)電壓，那么價(jià)帶的電子就能越過禁帶，成為自由電子，半導(dǎo)體就導(dǎo)電了。
這個(gè)過程我們叫 “本征激發(fā)”。
當(dāng)然，關(guān)掉電壓，半導(dǎo)體又不導(dǎo)電了。
半導(dǎo)體從絕緣變成導(dǎo)體的時(shí)候，叫做擊穿，這時(shí)候?qū)?yīng)的電壓叫做擊穿電壓，形成的電場強(qiáng)度叫做擊穿場強(qiáng)。
所以，“更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場”，意思都是在說，第三代半導(dǎo)體能承受更高的電壓。
2、從半導(dǎo)體到晶體管
除了電壓，半導(dǎo)體能不能導(dǎo)電，其實(shí)還和其他因素有關(guān)，例如摻雜程度。
怎么理解這個(gè)摻雜程度呢？又要翻開中學(xué)理化課本了。
我們用半導(dǎo)體最經(jīng)典的材料硅來舉例。硅元素有 14 個(gè)電子，按 2-8-4 分三層排列。
可是我們知道，原子最外層 8 個(gè)電子可以構(gòu)成穩(wěn)定狀態(tài)。這時(shí)硅就想了，我這最外層只有 4 個(gè)電子，要是能想辦法湊成 8 個(gè)電子多好啊！
方法還真有，那就是和別的原子共用。比如兩個(gè)硅原子碰到一起，就會說，你最外面有 4 個(gè)電子，我最外面也有 4 個(gè)電子，咱倆共用一下，不就都有 8 個(gè)電子了嗎？
所以，硅原子在一起，都是以這樣的狀態(tài)存在的：
了解這這一點(diǎn)，下面就要舉一反三了。
如果我們在硅里摻雜一些磷原子會怎樣呢？磷的最外層有 5 個(gè)電子，當(dāng)它和硅原子共享完 4 個(gè)電子后，就會發(fā)現(xiàn)自己還剩下 1 個(gè)多余的電子，這個(gè)電子就成了自由電子。
這樣摻雜后，原來的硅就會變成攜帶自由電子的半導(dǎo)體，我們把它叫做 “N 型半導(dǎo)體”。
而如果我們摻雜的不是磷，而是硼呢？硼最外層有 3 個(gè)電子，所以它只能和硅共用 3 個(gè)電子，還差一個(gè)電子沒法共用，那也沒辦法，只能空在哪里，所以就形成了等價(jià)于正電荷的空穴。
這時(shí)候，硅就成了一種類似于帶正電荷自由電子的半導(dǎo)體，我們把它叫做 “P 型半導(dǎo)體”。
注意，N 型半導(dǎo)體并不是只有自由電子，也有一些正電荷的空穴，只是這些空穴很少，是硅自己本征激發(fā)形成的。
同理，P 型半導(dǎo)體也有一些帶正電荷的自由電子，也是本征激發(fā)形成的。
一個(gè)帶有很多自由移動的電子（負(fù)電荷），一個(gè)帶有很多的空穴（相當(dāng)于正電荷），要是把 N 型半導(dǎo)體和 P 型半導(dǎo)體放一塊，那會怎么樣呢？
那還用說？那自由電子和空穴肯定就像對愛情渴慕已久的年輕男女，一見面就如狼似虎地糾纏在一起了唄。
不過，實(shí)際過程是這樣的：
當(dāng) N 型半導(dǎo)體和 P 型半導(dǎo)體在一起，距離最近的自由電子和空穴首先迫不及待地結(jié)合在一起；
然后距離比他們稍微遠(yuǎn)一些的自由電子和空穴也紛紛聚攏過來；
這些“情侶”太喜歡秀恩愛了，就在路中間抱了起來，結(jié)果，他們形成了一道“人墻”，把路給擋住了。
這就尷尬了，他們擋住了路，后面的“情侶”們就過不來了。
這時(shí)候，右邊的 N 型半導(dǎo)體中的一些自由電子因?yàn)楹涂昭ńY(jié)合，相當(dāng)于失去了一些電子，因此整體呈現(xiàn)正電；
左邊的 P 型半導(dǎo)體中的一些空穴因?yàn)楹妥杂呻娮咏Y(jié)合，相當(dāng)于失去了一些空穴，因此整體呈負(fù)電；
如此一來，兩邊就形成了一個(gè)電場，方向是從 N 型到 P 型，這個(gè)電場叫 “內(nèi)建電場”。
中學(xué)物理課本說道：電子受力方向和電場方向相反。
因此這個(gè)內(nèi)建電場形成后，N 區(qū)自由電子進(jìn)入電場就會被彈出來，就像撞了墻一樣，所以他們就到不了 P 區(qū)了。
不過呢，前面我們說了，P 區(qū)也是有少量自由電子的，他們的受力方向和電場方向是相同的，就可以在電場力的作用下，順利漂到 N 區(qū)。
這個(gè)過程叫做 “載流子漂移”，他們飄到 N 區(qū)的過程，代表這個(gè) PN 半導(dǎo)體可以通電，直到兩邊達(dá)到平衡。
而這個(gè)漂移運(yùn)動的快慢，人們用 “電子遷移率” 來表示。
注意，這些過程和上面“人墻”的形成是動態(tài)同步進(jìn)行的，人們把這種結(jié)構(gòu)叫做“PN 結(jié)”。
說了這么多，PN 結(jié)的這些特性有什么用呢？當(dāng)然有用了。
如果我們再 N 區(qū)施加負(fù)電壓，P 區(qū)施加正電壓，那么 PN 兩邊就會形成一個(gè)新的電場，反方向從 P 到 N。
這個(gè)新的電場會抵消內(nèi)建電場，內(nèi)建電場被抵消后，“人墻”就會慢慢變小，最后消失，兩邊的載流子就可以暢通無阻了，這個(gè) PN 半導(dǎo)體就可以通電；
而如果我們在 N 區(qū)施加的是正電，P 區(qū)施加的是負(fù)電，那么新的電場就會和內(nèi)建電場方向相同，“人墻”就會越來越寬，導(dǎo)致載流子再也無法漂移，半導(dǎo)體就斷電了。
正是基于這通操作，人們制造了晶體管。晶體管是芯片的最小單位。
晶體管是什么？其實(shí)就是很小很小的開關(guān)，控制半導(dǎo)體通電和斷電，通電代表“1”, 斷電代表“0”，由此形成各種龐大復(fù)雜的二進(jìn)制運(yùn)算。
當(dāng)然，晶體管的具體結(jié)構(gòu)和知識要復(fù)雜得多，上面所說的知識基礎(chǔ)原理，至于關(guān)于晶體管的更多內(nèi)容，這里就不便深入了。
那么都是制造晶體管的原材料，第三代半導(dǎo)體比過去的硅這些先進(jìn)在哪？
“更寬的禁帶寬度”和“更高的擊穿電場”前面我們已經(jīng)解釋過了，更高的電子飽和速率，大家就可以理解為，用第三代半導(dǎo)體制造的晶體管，載流子漂移速度很高，他們的漂移速度高，晶體管完成通電和斷電的速度就更快，這意味著他們的頻率更高。
第三代半導(dǎo)體不僅電子飽和速率高，電子遷移率高，這意味著載流子遷移的時(shí)候基本沒什么阻礙，阻礙意味著什么，意味著功耗、發(fā)熱，所以第三代半導(dǎo)體的功耗、發(fā)熱也是很低的。
至于更高的抗輻射能力，就比較好理解了。輻射可能對半導(dǎo)體產(chǎn)生不良影響，例如改變摻雜的程度、改變自由電子的運(yùn)動，甚至引起半導(dǎo)體物理屬性的改變等，因此更高的抗輻射能力可以帶來更好的系統(tǒng)穩(wěn)定性。
3、第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢和應(yīng)用
上面說的是幫大家理解第三代半導(dǎo)體優(yōu)勢背后的原理。
如果大家不想看上面這些，IT之家也為大家總結(jié)了第三代半導(dǎo)體的主要優(yōu)勢，大家可以只記住這些：
耐高溫；
耐高壓；
耐大電流；
功率高；
工作頻率高；
功耗小，發(fā)熱低；
抗輻射能力強(qiáng)。
就拿功率和頻率來說，第一代半導(dǎo)體材料的代表硅，功率在 100W 左右，但是頻率只有大約 3GHz；第二代的代表砷化鎵，功率不足 100W，但頻率卻能達(dá)到 100GHz。因此前兩代半導(dǎo)體材料更多是互為補(bǔ)充的關(guān)系。
而第三代半導(dǎo)體的代表氮化鎵和碳化硅，功率可以在 1000W 以上，頻率也可以接近 100GHz，優(yōu)勢非常明顯，因此未來有可能是取代前兩代半導(dǎo)體材料的存在。
不過，擺在氮化鎵和碳化硅普及面前的問題也有不少，比如單晶生長時(shí)間長、技術(shù)門檻高、成本高、良率低等，這些問題還有待產(chǎn)業(yè)鏈不斷去攻克。
第三代半導(dǎo)體的這些優(yōu)勢，很大程度上都得益于一點(diǎn)：它們相比前兩代半導(dǎo)體具有更大的禁帶寬度。甚至可以說，三代半導(dǎo)體之間的主要區(qū)分指標(biāo)就是禁帶寬度。
因?yàn)榫哂猩厦孢@些優(yōu)勢，第三點(diǎn)半導(dǎo)體材料可以滿足現(xiàn)代電子科技對高溫、高壓、高功率、高頻以及高輻射等惡劣環(huán)境的要求，因此可以在航空、航天、光伏、汽車制造、通訊、智能電網(wǎng)等前沿行業(yè)中有大規(guī)模應(yīng)用。目前主要是制造功率半導(dǎo)體器件。
具體到氮化鎵和碳化硅各自的應(yīng)用，要先說一下芯片的基本結(jié)構(gòu)，分為襯底、外延和器件結(jié)構(gòu)。
襯底就是芯片的底盤，外延就是襯底上的一層薄膜，器件結(jié)構(gòu)就是表面畫電路圖的地方。
碳化硅的熱導(dǎo)率高于氮化鎵，且單晶生長成本比氮化鎵低，所以目前碳化硅主要被用在第三代半導(dǎo)體芯片的襯底，或者在高壓高可靠領(lǐng)域做外延，而氮化鎵主要在高頻領(lǐng)域做外延。
例如最近流行的氮化鎵充電器，就是利用了氮化鎵高頻的屬性，將充電器內(nèi)部的元器件做小，才實(shí)現(xiàn)了高功率小體積。
氮化鎵由于禁帶寬度大、擊穿電場高、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定和抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，經(jīng)常被用來制造高溫、高頻、大功率微波器件。
例如軍工電子中的軍事通訊、電子干擾、雷達(dá)等領(lǐng)域，其他方面則如通訊基站中的射頻元件、功率器件等，能大大減小基站的質(zhì)量、體積。
而碳化硅則是極限功率器件的理想材料。
例如它有一個(gè)重要應(yīng)用是在新能源汽車中制造主驅(qū)逆變器、DC / DC 轉(zhuǎn)換器、充電系統(tǒng)中的車載充電機(jī)和充電樁等，在這些領(lǐng)域中未來將大面積取代硅，此外，碳化硅在光伏、風(fēng)電、高速列車等領(lǐng)域也有廣泛應(yīng)用。
總結(jié)起來，氮化鎵主要應(yīng)用于低壓和高頻領(lǐng)域，碳化硅主要應(yīng)用于中高壓領(lǐng)域。
二、中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀
和傳統(tǒng)的半導(dǎo)體一樣，第三代半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)鏈也包括上游的材料和設(shè)備，中游的芯片設(shè)計(jì)、制造和封測，下游的應(yīng)用。不同在于，第三代半導(dǎo)體的區(qū)別主要在于材料，因此IT之家在講解時(shí)也更側(cè)重于從產(chǎn)業(yè)鏈上游層面來說明。
由于氮化鎵和碳化硅是第三代半導(dǎo)體的主要材料，因此這一部分我們以這兩種材料為線分開來講。
1、碳化硅
碳化硅的生產(chǎn)步驟包括單晶生長、外延層生長以及器件制造，分別對應(yīng)襯底、外延和器件?？傮w來說，碳化硅產(chǎn)業(yè)目前主要處于國外企業(yè)壟斷的局面。
襯底方面，目前國際正在從 4 英寸向 6 英寸過渡，且已有 8 英寸導(dǎo)電型產(chǎn)品，而國內(nèi)仍然以 4 英寸為主。
目前國際上碳化硅襯底核心企業(yè)包括美國 DowCorning、德國 SiCrystal、美國 II-VI、日本昭和電工等，他們占據(jù)碳化硅襯底的主要產(chǎn)能。
國內(nèi)則以天科合達(dá)、山東天岳、同光晶體等公司為主，他們均能供應(yīng) 3 英寸~6 英寸的單晶襯底。
外延方面，外延片企業(yè)主要以美國的 DowCorning、II-VI、Cree，日本的羅姆、三菱電機(jī)，德國的 Infineon 等為主。國內(nèi)瀚天天成、東莞天域已能提供 4 寸 / 6 寸的碳化硅外延片。
器件方面，國際上 600~1700V SiC SBD、MOSFET 已經(jīng)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，主流產(chǎn)品耐壓水平在 1200V 以下，核心企業(yè)為 Infineon、Cree、羅姆、意法半導(dǎo)體等。
國內(nèi)則主要有泰科天潤、深圳基本半導(dǎo)體、中電科 55 所、上海瞻芯電子、三安光電等，覆蓋碳化硅器件的設(shè)計(jì)、代工各個(gè)環(huán)節(jié)。其中泰科天潤已經(jīng)量產(chǎn) SiC SBD，產(chǎn)品涵蓋 600V / 5A～50A、1200V / 5A～50A 和 1700V / 10A 系列。
總體來說，全球碳化硅的產(chǎn)業(yè)格局還是以美國、歐洲、日本為主，特別是美國，全球 70%-80% 的碳化硅產(chǎn)量都來自美國。
中國在這個(gè)領(lǐng)域主要是后來者的姿態(tài)，不過國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展較快，并且產(chǎn)業(yè)鏈各個(gè)環(huán)節(jié)也比較完整，正在快速追趕國際領(lǐng)先的企業(yè)，如果持之以恒加大發(fā)展，未來能夠自給的機(jī)會還是比較大的。
2、氮化鎵
氮化鎵和碳化硅的情況類似，目前產(chǎn)業(yè)也仍然被國外企業(yè)把持，國內(nèi)企業(yè)的發(fā)展相對薄弱，且主要集中在軍工方面。
和碳化硅一樣，氮化鎵也可以分為襯底、外延以及器件三個(gè)方面。
首先是襯底，目前國際上以 2~3 英寸為主，4 英寸較少，但也正在逐步商用。這個(gè)產(chǎn)業(yè)的市場主導(dǎo)是日本的住友電工，份額達(dá)到 90% 以上。國內(nèi)像蘇州納維科技公司和有北大背景的東莞市中鎵半導(dǎo)體科技公司，均已實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。
外延方面，氮化鎵的外延片主要有四種：硅基氮化鎵、碳化硅基氮化鎵、藍(lán)寶石氮化鎵和氮化鎵基板的氮化鎵。
這些外延片目前主要是日本的 NTT-AT、比利時(shí)的 EpiGaN 、英國的 IQE 、臺灣嘉晶電子等在供應(yīng)。
國內(nèi)相關(guān)企業(yè)則主要是蘇州晶湛、蘇州能華和世紀(jì)金光，其中蘇州晶湛 2014 年就已研發(fā)出 8 英寸硅基外延片，目前 150mm 的硅基氮化鎵外延片的月產(chǎn)能達(dá) 1 萬片。
氮化鎵的器件分為射頻器件和電力電子器件。在器件的設(shè)計(jì)方面，主要有美國的 EPC、MACOM、Transphom、Navitas，德國的 Dialog 等公司，國內(nèi)有被中資收購的安譜?。ˋmpleon）等。
設(shè)計(jì)生產(chǎn)一體的企業(yè)則包括住友電工和 Cree ，他們的市場占有率均超過 30%，其他還有 Qorvo 和 MACOM；
而中國方面則有蘇州能訊、英諾賽科、江蘇能華等，其中蘇州能訊去年已經(jīng)建成 4 英寸氮化鎵芯片產(chǎn)線，設(shè)計(jì)產(chǎn)能為 17000 片 4 英寸氮化鎵晶圓。
負(fù)責(zé)代工的公司則以美國環(huán)宇通訊半導(dǎo)體（GCS）、穩(wěn)懋半導(dǎo)體、日本富士通、Cree、臺灣嘉晶電子、臺積電、歐洲聯(lián)合微波半導(dǎo)體公司（UMS）等為主導(dǎo)，中國的三安集成和海威華芯也已取得了一定的市場成果。其中三安集成在 2018 年末的氮化鎵芯片產(chǎn)能可達(dá)到 100 片 / 月。
盡管總體來說我國在氮化鎵的上游材料、制造方面仍然落后于國際先進(jìn)水平，但是它的商業(yè)化進(jìn)程才剛剛起步，氮化鎵的市場需求將持續(xù)高速增加，留給中國的機(jī)會和時(shí)間也還是有的。
總結(jié)
首先我們需要確認(rèn)，第三代半導(dǎo)體材料在未來半導(dǎo)體行業(yè)的地位將至關(guān)重要，理由如下：
1、第一第二代半導(dǎo)體瓶頸明顯，難以適應(yīng)新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展需求。第三代半導(dǎo)體材料具有取代前兩代半導(dǎo)體材料的潛質(zhì)，成為未來半導(dǎo)體材料的主流。
2、5G 拉開萬物互聯(lián)的序幕，第三代半導(dǎo)體的核心應(yīng)用功率半導(dǎo)體將會有爆發(fā)式增長，前景光明。
3、摩爾定律見頂，除了先進(jìn)封裝技術(shù)外，底層半導(dǎo)體材料的突破，也是突破摩爾定律的重要道路。
而對于中國來說，第三代半導(dǎo)體相比前兩代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，機(jī)遇更大，趕超的機(jī)會也更大，原因如下：
1、中國是全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)市場，且自給率不足 20%，擁有很大的國產(chǎn)替代空間。
2、當(dāng)前第三代半導(dǎo)體主要應(yīng)用的功率半導(dǎo)體領(lǐng)域對先進(jìn)制程的要求并不高，這對于國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈的完善是一個(gè)機(jī)會。
3、中國新基建和消費(fèi)電子市場需求龐大，將為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的增長打開空間。
4、雖然目前中國在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的技術(shù)比較薄弱，但國內(nèi)廠商在第三代半導(dǎo)體有全產(chǎn)業(yè)鏈的布局，有一定的自主可控能力。
當(dāng)然，比上面這些更重要的是國家意志的推動。在美國限制措施越來越緊的背景下，先進(jìn)半導(dǎo)體材料已上升至國家戰(zhàn)略層面。國家在 2025 中國制造中提到，2025 要實(shí)現(xiàn)在 5G 通信、高效能源管理中的國產(chǎn)化率達(dá)到 50%；在新能源汽車、消費(fèi)電子中實(shí)現(xiàn)規(guī)模應(yīng)用。這些目標(biāo)背后離不開第三代半導(dǎo)體的打底。
回到本文開頭所說的，一條消息引起 A 股第三代半導(dǎo)體板塊一飛沖天，資本市場也許少不了噱頭和泡沫，但I(xiàn)T之家相信，中國制造業(yè)不斷升級的大方向是不會變的。這條路上，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)無疑是一個(gè)時(shí)代紅利，我們必須把握住。
參考
世紀(jì)證券，2020-05-29，《從新基建與消費(fèi)電子看第三代半導(dǎo)體材料-電子行業(yè)深度報(bào)告》
中泰證券，2019-10-21，《寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)深度：SiC 與 GaN 的興起與未來》
中銀證券，2020-03-28 ，《半導(dǎo)體系列專題：國產(chǎn)功率半導(dǎo)體高端布局加碼，國產(chǎn)替代加速》
媽咪說 MommyTalk，2019-10-25，《什么是半導(dǎo)體？N 型 P 型有什么區(qū)別？太陽能電池原理》
媽咪說 MommyTalk，2019-10-28，《什么是 PN 結(jié)？為什么只能單向?qū)?？太陽能電池的發(fā)電原理》
電子說，2018-10-23，《第三代半導(dǎo)體材料有何優(yōu)勢》
半導(dǎo)體行業(yè)觀察，2019-04-15，《誰會是 SiC 市場的最后贏家？》
海通證券，2019-10-06，《氮化鎵：第三代半導(dǎo)體核心材料》
光大證券，2020-09-08，《第三代半導(dǎo)體大勢所趨，國內(nèi)廠商全產(chǎn)業(yè)鏈布局 —— 第三代半導(dǎo)體系列報(bào)告之一》
推薦閱讀：
《中國芯片往事》
廣告聲明：文內(nèi)含有的對外跳轉(zhuǎn)鏈接（包括不限于超鏈接、二維碼、口令等形式），用于傳遞更多信息，節(jié)省甄選時(shí)間，結(jié)果僅供參考，IT之家所有文章均包含本聲明。