1 月 5 日消息，據(jù)國外媒體報道，在此前的報道中，英文媒體援引產(chǎn)業(yè)鏈方面的消息報道稱，臺積電和三星的 3nm 工藝研發(fā)均遭遇關(guān)鍵瓶頸，研發(fā)進(jìn)度也不得不推遲。
臺積電和三星的 3nm 工藝研發(fā)遭遇挑戰(zhàn)，是否會影響到最終的量產(chǎn)時間也備受關(guān)注，但在最新報道中表示，目前仍有足夠的時間在 2022 年開始量產(chǎn)。
3nm 是 5nm 之后芯片制程工藝上的一個完整的技術(shù)跨越，芯片的晶體管密度、速度和能耗，較 5nm 都將會有明顯的提升。
在 3nm 工藝上，臺積電和三星這兩大芯片代工商走的是不同的路線，臺積電仍將采用成熟的鰭式場效應(yīng)晶體管技術(shù)（FinFET），外媒稱三星將采用環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)（GAA）。
臺積電 CEO 魏哲家，在此前的財報分析師電話會議上曾多次談到 3nm 工藝，他表示 3nm 工藝計劃 2021 年風(fēng)險試產(chǎn)，他們的目標(biāo)是在 2022 年下半年大規(guī)模量產(chǎn)。這也就意味著目前距離量產(chǎn)還有一年半的時間，他們也需要盡快攻克所遇到的關(guān)鍵瓶頸，以便在今年完成風(fēng)險試產(chǎn)，進(jìn)而在明年下半年大規(guī)模投產(chǎn)。
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