1 月 25 日消息，據(jù)華爾街日報報道，三星將投資 170 億美元（折合約 1101 億人民幣）在美建芯片代工廠，其地址可能位于美國亞利桑那州、德克薩斯州或者紐約。這一舉措可能與臺積電之前在美國亞利桑那州投資建設新廠有關。
據(jù)稱，三星為了追趕在先進制程工藝上領先的臺積電，將跳過 4nm 工藝，直接建設可量產 3nm 芯片的晶圓廠。
知情人士分析，這可能是三星第一家在美國使用 EUV（極紫外輻射）光刻機的晶圓代工廠。
一、砸 170 億美元，在美建 3nm 廠
據(jù)相關文件和熟悉韓國三星電子計劃的人士透露，該公司正考慮投資至多 170 億美元，在美國亞利桑那州、德克薩斯州或紐約建設一家晶圓代工廠，預計 2023 年投入使用。
據(jù)報道，三星去年十月就在美國德州奧斯汀購買了十萬平方米的土地，并且在十二月開始申請將土地用途變更為工業(yè)開發(fā)用地。
目前三星在奧斯汀的晶圓代工廠主要生產基于 14nm、28nm 以及 32nm 工藝的芯片，工藝較為落后。
而且花旗銀行的研究報告也曾顯示目前奧斯汀的工廠產能較小，無法滿足英特爾、高通和特斯拉等公司不斷增加的芯片外包業(yè)務。
因此有分析人士認為，奧斯汀有較大希望成為三星新工廠的地址，員工數(shù)量預估為 1900 人。
▲三星目前在美國德克薩斯州奧斯汀的工廠
二、或為爭取美國芯片激勵政策優(yōu)惠
三星這項提議提出之時，美國正在考慮撥出數(shù)十億美元資金來發(fā)展美國芯片制造業(yè)，減少對中國臺灣地區(qū)、中國大陸地區(qū)和韓國的依賴。
今年 1 月通過的《國防授權法案》中（National Defense Authorization Act）也包括了新的芯片制造激勵措施。
為了達成交易，三星需要時間與美國政府就潛在的激勵措施，如稅收優(yōu)惠和財政補貼等方面進行談判。
知情人士說，該公司已在華盛頓聘請人員代表交易進行游說，并準備在美國新政府成立后繼續(xù)進行。
其中一位人士表示，稅收優(yōu)惠和補貼將減輕三星的財務負擔，但三星即使在沒有稅收優(yōu)惠和補貼的情況下也不會放棄繼續(xù)在美發(fā)展。
在與臺積電競爭時，三星在美建設工廠的舉動可能會有助于這家韓國芯片制造商與美國的關鍵客戶達成更好的協(xié)議。
三、三星低價挖客戶，臺積電先發(fā)占優(yōu)勢
目前三星已經在內存芯片市場占據(jù)主導地位，并試圖在利潤更豐厚的智能手機芯片與電腦處理器芯片市場擴大占有率，它和臺積電的競爭也趨近于白熱化。
如今雖然三星失去了蘋果的訂單，但卻通過低價收獲了高通、英偉達和聯(lián)發(fā)科等新客戶的訂單，其中高通和聯(lián)發(fā)科的芯片過去都由臺積電獨家供應。
三星也曾表示計劃在 2030 年前向代工和芯片設計業(yè)務投資 1160 億美元，旨在 2022 年推出采用 3nm 工藝的芯片，從而趕超臺積電。
本次在美投資的 170 億美元建廠很可能是這個宏偉計劃的一部分。
不過想要擊敗行業(yè)霸主臺積電并不容易，韓國投資銀行 HMC Securities 的高級副總裁 Greg Roh 表示：“如果三星真的想在 2030 年前成為最大的芯片制造商，它需要在美國進行大量投資，才能趕上臺積電?！?/p>
去年 5 月，臺積電宣布在美國亞利桑那州建設的工廠將采用 5nm 制程技術生產芯片，規(guī)劃月產能為 20000 片晶圓，將直接創(chuàng)造超過 1600 個高科技專業(yè)工作機會，預計為該建廠項目支出約 120 億美元。此前臺積電在美國華盛頓州卡瑪斯市建有一座晶圓廠。
臺積電在美 5nm 芯片廠計劃在 2021 年開工，2024 年開始生產。如果外媒報道的三星赴美建 3nm 廠、計劃 2023 年投用的消息為真，那么無論從技術先進性和投用時間來看，三星均有望在爭取美國政府資源方面獲得更多優(yōu)勢。
就目前而言，臺積電在 5nm 芯片量產、確定美國亞利桑那州建廠計劃等方面均領先了三星一步，三星還需要與臺積電、SK 海力士和美光等公司爭奪 EUV 光刻機訂單，接下來的先進工藝競爭于三星而言，仍將是一場難打的硬仗。
結語：三星臺積電上演晶圓代工龍爭虎斗
如果三星在美建 3nm 晶圓廠的計劃順利推進，這家新廠有望成為三星第三家使用 EUV 光刻機的工廠，最早將于 2023 年開始運營。
目前在先進制程芯片代工的賽道上，臺積電、三星兩家巨頭正進行愈發(fā)激烈的較量，并均展露出龐大的野心。相較之下，其他晶圓代工企業(yè)無論在技術儲備還是資金實力方面，都很難與這兩家公司抗衡。
顯然在未來的先進制程之戰(zhàn)中，三星與臺積電的角逐，不僅將直接影響晶圓代工業(yè)的整體走向，而且將左右全球芯片產業(yè)的發(fā)展勢頭。
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