IT之家2月18日消息 固態(tài)技術(shù)標準協(xié)會 JEDEC 今日發(fā)布了 DDR4 NVDIMM-P 非易失內(nèi)存標準。該標準名稱為 JESD304-4.01，為制造商規(guī)定了斷電后數(shù)據(jù)依舊能夠保存的 NVDIMM 內(nèi)存制造標準。
隨著 DRAM 內(nèi)存容量和頻率的持續(xù)增長，現(xiàn)有電腦內(nèi)存的安全性也一直沒有得到提升。NVDIMM-P 內(nèi)存能夠在意外斷電時保留原有數(shù)據(jù)，與英特爾傲騰內(nèi)存芯片比較類似。
根據(jù)描述，這種規(guī)范將兼容普通的 DIMM 內(nèi)存標準以及固件，最大程度減少對于現(xiàn)有設備的更改，同時為新內(nèi)存提供了低延遲接口，提高了易用性。
NVDIMM-P 的新功能：
持久性：操作系統(tǒng)能夠低延遲、高帶寬訪問非易失內(nèi)存。
虛擬化的內(nèi)存：在 DDR 通道啟用盡可能多的內(nèi)存容量。
大容量：支持擴展的內(nèi)存尋址功能。
支持即插即用：在電腦開機時可以直接插入標準的雙列內(nèi)存插槽，并立刻與同一總線上的 DDR 內(nèi)存交互操作。
主要特征：
與現(xiàn)有 DDR 通道完全兼容，包括物理接口、電氣性能、協(xié)議、時鐘。
保證為下一代 CPU 插槽增加的針腳盡可能少。
協(xié)議支持數(shù)據(jù)讀取時的不確定延遲
確保數(shù)據(jù)在非易失內(nèi)存中的事務性操作
從 NAND 到 DRAM 多種延遲模式的支持（在模塊級別）
內(nèi)存本身具備高可靠性、鏈路錯誤保護功能
IT之家了解到，NVDIMM 非易失內(nèi)存標準此前公布了 NVDIMM-N 形態(tài)。此種內(nèi)存將 NAND 閃存集成到了內(nèi)存條，并使用外接電源供電，這樣意外斷電時數(shù)據(jù)將寫入到內(nèi)存條本身的 NAND 存儲中；NVDIMM-F 本質(zhì)上是一款固態(tài)硬盤，但延遲更低帶寬更高。新版 NVDIMM-P 預計將是兩種方式的混合，兼容性更佳。
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