在 2021 年國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議（ISSCC）的開幕演講中，臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音以《揭秘創(chuàng)新未來(lái)》為主題，談及許多引領(lǐng)芯片發(fā)展的創(chuàng)新技術(shù)。
半導(dǎo)體創(chuàng)新是驅(qū)動(dòng)現(xiàn)代科技進(jìn)步的關(guān)鍵。劉德音認(rèn)為，半導(dǎo)體制程微縮腳步并未減緩，集成電路的晶體管密度、性能和功耗仍在持續(xù)進(jìn)步，理想情況下，硬件創(chuàng)新應(yīng)像編寫軟件代碼一樣容易。
劉德音不僅透露了臺(tái)積電先進(jìn) 3nm 工藝的研發(fā)進(jìn)度提前，而且討論了包括 EUV、新晶體管、新材料、芯片封裝、小芯片、系統(tǒng)架構(gòu)等一系列通向未來(lái)的突破性半導(dǎo)體技術(shù)。在這些技術(shù)驅(qū)動(dòng)下，芯片工藝節(jié)點(diǎn)路線圖能保持每?jī)赡甏蠹s 2 倍的能效性能提升。
芯東西對(duì)此次演講的重點(diǎn)信息進(jìn)行系統(tǒng)梳理，全文如下：
一、7nm：半導(dǎo)體史上的重要分水嶺
劉德音在演講中說(shuō)，從 2018 年開始量產(chǎn)的 7nm 邏輯技術(shù)是半導(dǎo)體史上的一個(gè)分水嶺，標(biāo)志著當(dāng)時(shí)世界上最先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)首次被所有半導(dǎo)體公司廣泛使用。
這一分水嶺時(shí)刻帶來(lái)了跨廣泛應(yīng)用領(lǐng)域的變革產(chǎn)品，包括 5G 芯片、GPU、網(wǎng)絡(luò)、游戲和汽車。
例如，AMD EYPC Gen2 處理器結(jié)合了新的芯片架構(gòu)和 7nm 技術(shù)，為數(shù)據(jù)中心提供了創(chuàng)紀(jì)錄的低功耗高性能計(jì)算。與上一代相比，其 7nm 芯片性能提高了 2 倍以上，或功耗降低 50%。
采用 7nm 工藝的 NVIDIA A100 AI 加速器，其性能提升 20 倍甚至更多，效果更加顯著。這種創(chuàng)新的數(shù)據(jù)中心解決方案可以大幅降低總擁有成本，占用空間更小，并提供更高效的計(jì)算。
如今臺(tái)積電 7nm 技術(shù)已應(yīng)用于市場(chǎng)上超過 150 種產(chǎn)品。截至去年 8 月 20 日，臺(tái)積電 7nm 芯片出貨量突破 10 億大關(guān)，足夠覆蓋 13 個(gè)曼哈頓城市街區(qū)。
“這是技術(shù)應(yīng)用民主化的趨勢(shì)，我們將繼續(xù)穩(wěn)步推進(jìn)芯片級(jí)擴(kuò)展、EUV 增強(qiáng)，以及各種器件增強(qiáng)技術(shù)，如高遷移率溝道?！眲⒌乱粽f(shuō)。
二、3nm：臺(tái)積電進(jìn)度超預(yù)期
劉德音特別提到，或許有人認(rèn)為芯片技術(shù)的進(jìn)步正在放緩，但臺(tái)積電的產(chǎn)品數(shù)據(jù)顯示，在相同速度或速度增益、相同的功耗和邏輯密度下，功耗降低的速度保持不變。
據(jù)他透露，臺(tái)積電 3nm 進(jìn)展順利，甚至比預(yù)期進(jìn)度超前一些。
臺(tái)積電此前公開數(shù)據(jù)顯示，與目前最先進(jìn)的商用 5nm 芯片相比，3nm 芯片的邏輯密度將提高 75%，效率提高 15%，功耗降低 30%。
其 3nm 芯片將于今年晚些時(shí)候試產(chǎn)，預(yù)計(jì)將在 2022 年下半年開始商業(yè)化生產(chǎn)。
劉德音說(shuō)，產(chǎn)學(xué)界一直密切合作，通過創(chuàng)新的晶體管結(jié)構(gòu)、新材料、新系統(tǒng)架構(gòu)和 3D 封裝等技術(shù)來(lái)維系超越 3nm 的技術(shù)進(jìn)步。
下面，讓我們來(lái)看看其中的一些創(chuàng)新。
三、EUV：電源功率提高至 350W
光刻技術(shù)是推動(dòng)晶體管密度提升的關(guān)鍵技術(shù)。近年來(lái)，極紫外（EUV）光刻技術(shù)的創(chuàng)新突破了 193nm 浸入式光刻技術(shù)的分辨率瓶頸。
相比采用多重圖案化、多次曝光方式，EUV 光刻技術(shù)能使用較少層數(shù)的光罩，提供了更高的圖案保真度，并減少了過程復(fù)雜性和缺陷率，從而縮短周期時(shí)間、提高生產(chǎn)效率。
可以公平地說(shuō)，隨著 EUV 光刻技術(shù)的引入，分辨率將不再像過去那樣限制設(shè)備技術(shù)。相反，光刻吞吐量及其他半導(dǎo)體挑戰(zhàn)上升為熱門話題。
如何抵消 EUV 能耗的增加，并將模式的總成本降低到與可控模式相當(dāng)甚至更低的水平，是至關(guān)重要的。
EUV 吞吐量的一個(gè)關(guān)鍵指標(biāo)是電源功率。一個(gè) EUV 光束發(fā)出后，只有不到 2% 的光線能保留下來(lái)，要降低成本，則需要光源足夠強(qiáng)，中心焦點(diǎn)功率達(dá)到 250W。
而據(jù)劉德音透露，臺(tái)積電 EUV 光源技術(shù)穩(wěn)步發(fā)展，現(xiàn)在其電源功率已達(dá)到 350W，可支持 5nm 芯片量產(chǎn)，并為 3nm、2nm 的發(fā)展鋪平了道路。
四、晶體管：5nm 引入新材料，2nm 轉(zhuǎn)向 GAA
隨著時(shí)間推移，光刻成本逐漸降低，新的晶體管結(jié)構(gòu)和新材料也出現(xiàn)一些重大突破。
出于量產(chǎn)考慮，臺(tái)積電在 5nm 和 3nm 節(jié)點(diǎn)均采用鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FinFET）結(jié)構(gòu)，但在材料上有所創(chuàng)新。
臺(tái)積電在 5nm 節(jié)點(diǎn)引入一種高遷移率溝道（high mobility channel，HMC）晶體管，將鍺整合到晶體管的鰭片（Fin）中，而導(dǎo)線也利用鈷與釕材料來(lái)持續(xù)挑戰(zhàn)物理極限。
在 3nm 制程之后，臺(tái)積電將在其 2nm 制程中采用更復(fù)雜的環(huán)繞柵極晶體管（gate-all-around，GAA）的納米片（nanosheet）結(jié)構(gòu)，提供相較 FinFET 更強(qiáng)的載流能力，持續(xù)優(yōu)化芯片性能和功耗。
與前幾代技術(shù)相比，納米片晶體管實(shí)現(xiàn)了減少漏端引入的勢(shì)壘降低（DIBL 效應(yīng)）和更好的亞閾值擺幅（subthreshold swing），以提高電路性能，為 SRAM 帶來(lái)更低的供電電壓，可提供 0.46V 的可靠快取操作。
隨著芯片上快取的需求越來(lái)越高，能將耗電降低到 0.5V 以下，將有助于改善芯片的整體功耗。
臺(tái)積電已宣布將在中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)新竹建立一家晶圓廠，生產(chǎn) 2nm 芯片，但該公司尚未公布 2nm 制程的確切研發(fā)時(shí)間表。
五、DTCO：提升晶體管密度新思路
在過去幾代技術(shù)中，臺(tái)積電采用了設(shè)計(jì) - 技術(shù)協(xié)同優(yōu)化（Design & Technology Co-Optimization，DTCO）的概念，或者將 DTCO 與固有縮放相結(jié)合的方法，來(lái)實(shí)現(xiàn)所需的邏輯密度和降低成本。
DTCO 將原本各自孤立的設(shè)計(jì)與制造思維轉(zhuǎn)為一種合作體制，能維持每一節(jié)點(diǎn)邏輯密度穩(wěn)步提升 1.8 倍，芯片尺寸縮小 35% 至 40%。這種模式為系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）設(shè)計(jì)的重要領(lǐng)域帶來(lái)進(jìn)展。
劉德音預(yù)計(jì) DTCO 的貢獻(xiàn)將在今后的說(shuō)明中繼續(xù)增加。
六、新材料：低維材料取得重大突破
臺(tái)積電也在尋找新的領(lǐng)域繼續(xù)進(jìn)軍。我們?cè)谠S多技術(shù)領(lǐng)域看到了有前途的研究。例如，低維材料，包括六方氮化硼（hexagonal boron nitride，hBN）等 2D 層狀材料，在前端和后端都有很多機(jī)會(huì)。
據(jù)劉德音了解，低維材料近年來(lái)已經(jīng)取得了重大突破。例如，臺(tái)積電與多家學(xué)術(shù)團(tuán)隊(duì)合作成功地在 2 英寸晶圓襯底上外延生長(zhǎng)單晶六方氮化硼（hBN）單層薄膜。這項(xiàng)研究發(fā)表在 2020 年 3 月的國(guó)際學(xué)術(shù)期刊《自然》上。
碳納米管（CNT）也是未來(lái)晶體管的潛在候選者之一。臺(tái)積電兩個(gè)月前在 IEDM 上發(fā)表的一篇論文展示了其在碳納米管溝道上的突破。臺(tái)積電研發(fā)了獨(dú)特的工藝流程來(lái)為碳納米管提供 high-K 電介質(zhì)等效柵極氧化物，適合于 10nm 柵極長(zhǎng)度的晶體管。
此外，還有銅、硅鍺、半氧化物及更多的新型材料將被引入晶體管制造，且并不局限于前端設(shè)備。
七、小芯片：面向特定領(lǐng)域的更優(yōu)方案
先進(jìn)的晶體管技術(shù)不僅提高性能和能效，而且還提供了必要的空間來(lái)增加功能，并在架構(gòu)、應(yīng)用和軟件方面進(jìn)行創(chuàng)新。
特定領(lǐng)域的 GPU 架構(gòu)和應(yīng)用處理器需要額外的晶體管來(lái)執(zhí)行專門的功能。今天，最先進(jìn)的單顆 GPU 有超過 500 億個(gè)晶體管。
在系統(tǒng)層面，臺(tái)積電的 InFo、CoWoS、SoIC 技術(shù)等多種解決方案，為封裝系統(tǒng)的晶體管數(shù)量增加至 3000 億開辟了道路。
劉德音不打算詳細(xì)介紹臺(tái)積電的 3DFabric 技術(shù)是如何工作的。他想指出的是，芯片業(yè)已不再只關(guān)注單個(gè)芯片，而是開始將單個(gè)芯片集成到系統(tǒng)中。這也被稱之為小芯片（chiplet）。
最近小芯片已經(jīng)成為一個(gè)非常熱門的話題。劉德音說(shuō)，在小芯片變得 “很酷”之前，就已經(jīng)有很多人投入相關(guān)研發(fā)。
SoC 不再是唯一的最佳系統(tǒng)，多個(gè)小芯片封裝在一起將發(fā)揮越來(lái)越重要的作用。這些小芯片可以在各自技術(shù)方面實(shí)現(xiàn)最優(yōu)化，從而提高性能、能效、密度、成本和功能。
這可以概念化為特定領(lǐng)域技術(shù)（domain specific technology）的方法。特定領(lǐng)域的技術(shù)根據(jù)應(yīng)用的特性，以適當(dāng)?shù)某杀緸榉庋b系統(tǒng)提供適當(dāng)?shù)男阅芩健?/p>
八、系統(tǒng)集成：I/O 密度增長(zhǎng) 10000 倍成為可能
劉德音強(qiáng)調(diào) 3D 系統(tǒng)結(jié)構(gòu)是讓技術(shù)朝著正確方向發(fā)展的關(guān)鍵推手。臺(tái)積電 SoIC 的最新進(jìn)展包括 3DFabric，該技術(shù)可將多個(gè)芯片堆疊封裝在一起。
下圖展示了一個(gè)通過臺(tái)積電 SoIC 和低溫鍵合將 12 個(gè)裸晶堆疊的例子，總厚度不到 600μm，右側(cè)是該 12 層堆疊 SoIC 的 X 光影像。
“看看這完美的排列……”劉德音在展示 3D 堆疊結(jié)構(gòu)的 X 光影像感嘆道。
這里，增加芯片之間的 I/O 密度是增加峰值帶寬和減少傳輸能耗的關(guān)鍵。
今天的計(jì)算系統(tǒng)面臨著帶寬不足的問題。最近的數(shù)據(jù)顯示，峰值吞吐量平均每?jī)赡暝鲩L(zhǎng) 1.8 倍，而峰值帶寬每?jī)赡暝鲩L(zhǎng)僅約 1.6 倍。
顯然，帶寬不足的問題仍然存在。最有效的規(guī)范是增加 I/O 數(shù)量，幸運(yùn)的是，I/O 互連密度還有很大的發(fā)展空間。
在過去的 10 年里，芯片互連密度快速發(fā)展，通過使用 SoIC 及其未來(lái)的擴(kuò)展，包括單片三維集成、系統(tǒng)集成封裝，密度有可能再提高 10000 倍。
為了提高系統(tǒng)吞吐量，我們需要更多的晶體管、更多的內(nèi)存，以及晶體管和存儲(chǔ)器之間更多的互連。
另一方面，內(nèi)存從一端到另一端在系統(tǒng)堆棧中進(jìn)行了優(yōu)化，以提高能效。
劉德音僅展示了從封裝到單片 3D 集成技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)的幾個(gè)例子，可以看到，這些技術(shù)越來(lái)越多地融合在一起。
片上存儲(chǔ)也使存內(nèi)計(jì)算成為一種新的計(jì)算方式，無(wú)論各種技術(shù)方法有何不同，能效都是最重要的計(jì)算目標(biāo)。
為了滿足高性能計(jì)算對(duì)內(nèi)存帶寬及移動(dòng)應(yīng)用對(duì)低功耗內(nèi)存訪問的需求，降低內(nèi)存訪問帶來(lái)的能耗也將是核心優(yōu)化方向。
臺(tái)積電認(rèn)為需要用高級(jí)封裝技術(shù)將邏輯芯片和內(nèi)存芯片集成方面進(jìn)行創(chuàng)新，還需解決散熱問題，為未來(lái)高密度集成芯片開發(fā)熱解決方案。
結(jié)語(yǔ)：先進(jìn)技術(shù)走向民主化
總之，在過去的 15 年里，芯片行業(yè)已經(jīng)交付了新的性能水平、更低功耗的計(jì)算，實(shí)現(xiàn)了每?jī)赡甏蠹s 2 倍的能效、性能提升。
劉德音說(shuō)，目前正大規(guī)模生產(chǎn)的臺(tái)積電最新 5nm 技術(shù)、3nm 技術(shù)節(jié)點(diǎn)均在實(shí)現(xiàn)同樣節(jié)奏的進(jìn)步。
隨著芯片產(chǎn)學(xué)界繼續(xù)合作，在包括材料、設(shè)備、電路設(shè)計(jì)、系統(tǒng)封裝、架構(gòu)設(shè)計(jì)在內(nèi)的多種創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)下，這種趨勢(shì)正延續(xù)向未來(lái)。
歷史已經(jīng)證明，技術(shù)一開始掌握在少數(shù)人手中，但最終其成果將由大多數(shù)人享用。他認(rèn)為培育一個(gè)廣泛的設(shè)計(jì)生態(tài)系統(tǒng)是非常重要的，它可以降低進(jìn)入門檻，釋放出大量的創(chuàng)新。
“理想情況下，硬件創(chuàng)新應(yīng)該像編寫軟件代碼一樣容易。當(dāng)這種情況發(fā)生時(shí)，我們將看到應(yīng)用程序和系統(tǒng)設(shè)計(jì)的又一次復(fù)興。我們才剛剛開始?！眲⒌乱粽f(shuō)。
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