IT之家4月2日消息 據(jù)韓國(guó)媒體消息，芯片制造商 SK 海力士新建工廠(chǎng)的規(guī)劃今日得到韓國(guó)政府批準(zhǔn)，該工廠(chǎng)總投資額將達(dá)到 1060 億美元，地點(diǎn)位于首爾南部約 50 公里的位置。
消息表示，SK 海力士此工廠(chǎng)總面積額將達(dá)到 415 萬(wàn)平方米，計(jì)劃主要生產(chǎn) DRAM 芯片，定于 2021 年第四季度開(kāi)工，2025 年建成投產(chǎn)。這一大型工廠(chǎng)將包含四個(gè)晶圓加工廠(chǎng)，每個(gè)月產(chǎn)量為 80 萬(wàn)片。
IT之家此前報(bào)道，SK 海力士近日表示，將在未來(lái) 10 年內(nèi)開(kāi)發(fā) 10nm 以下制程工藝的 DRAM 芯片，以及 600 層堆疊的 NAND 閃存。截至目前，該公司已經(jīng)成功研發(fā)出 176 層堆疊的 3D NAND。新技術(shù)將引入新的電介質(zhì)材料來(lái)保持均勻電荷，從而保持可靠性，減少漏電。
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