IT之家 5 月 7 日消息 IBM 宣布已成功研制出全球首款采用 2 納米 (nm) 規(guī)格納米片技術的芯片，這標志著 IBM 在半導體設計和工藝方面實現了重大突破。一直以來，半導體在眾多領域內都扮演著至關重要的角色，例如：計算機、家用電器、通信設備、運輸系統(tǒng)、關鍵基礎設施等等。
IBM 研發(fā)的新型 2 納米芯片技術可推動半導體行業(yè)的發(fā)展，滿足不斷增長的需求。與目前先進的 7 納米節(jié)點芯片相比，這項技術預計可使芯片的性能提升 45%，能耗降低 75%。
IT之家獲悉，IBM 介紹了這款先進的 2 納米芯片的應用前景，包括：
使手機電池續(xù)航時間增至之前四倍，只需每四天為設備充一次電即可（相比之前的 7nm 芯片）。
大幅減少數據中心的碳排放量，目前，數據中心的能源使用量占全球能源使用量的百分之一。將數據中心的所有服務器更換為 2 納米處理器可能會顯著降低該比例。
極大地提升筆記本電腦的功能，可加快應用程序處理速度，加強語言翻譯輔助功能，加快互聯(lián)網訪問速度。
加快自動駕駛汽車（例如：無人駕駛汽車）的物體檢測速度，縮短反應時間。
IBM 在位于紐約州奧爾巴尼市 Albany Nanotech Complex 的研究實驗室開展半導體研發(fā)工作，在這里，IBM 科學家與來自公共和私營部門的合作伙伴密切合作，共同推動邏輯擴展和半導體功能向前發(fā)展。
IBM 官方表示，多年來，IBM 在半導體領域內實現了多次重大突破，包括率先推出 7 納米和 5 納米工藝技術、單管 DRAM（single cell DRAM），Dennard 標度律（the Dennard Scaling Laws），化學放大光刻膠（chemically amplified photoresists）、銅互連布線（copper interconnect wiring）、絕緣硅片技術（Silicon on Insulator technolog）、多核微處理器（multi core microprocessors）、高 k 柵電介質（High-k gate dielectrics）、嵌入式 DRAM（embedded DRAM）和 3D 芯片堆疊（3D chip stacking）。
IBM 稱 IBM 研究院的 7 納米技術第一款商業(yè)化產品將于今年晚些時候在基于 IBM POWER10 的 IBM Power Systems 中首次亮相。
一個指甲大小的芯片，可容納 500 億個晶體管
增加每個芯片上的晶體管數量可以讓芯片變得更小、更快、更可靠、更高效。2 納米設計展示了利用 IBM 研發(fā)的納米片技術對半導體進行高級擴展的能力。這種架構為業(yè)界首創(chuàng)。在宣布 5 納米設計研發(fā)成功之后，IBM 僅用了不到四年時間就再次實現技術突破。這項突破性技術問世后，一個指甲大小的 2 納米芯片就能容納多達 500 億個晶體管。
芯片上的晶體管數量增加還意味著處理器設計人員擁有更多選擇，可以通過為處理器注入內核級創(chuàng)新來提升人工智能、云計算等前沿工作負載的功能，找到實現硬件強制安全性和加密的新途徑。IBM 已經在最新一代的 IBM 硬件（例如：IBM POWER10 和 IBM z15）中實現了其他創(chuàng)新型核心級增強功能。
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