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三星將提高非存儲芯片領(lǐng)域投資:與臺積電高通競爭,計劃到 2030 年投入 1514 億美元

2021/5/13 15:53:50 來源:TechWeb 作者:海藍 責(zé)編:騎士

5 月 13 日消息,據(jù)國外媒體報道,在芯片代工方面,雖然三星電子的份額與臺積電相比有不小的差距,但在制程工藝方面,他們是唯一能基本跟上臺積電節(jié)奏的廠商,7nm 和 5nm 制程工藝,量產(chǎn)時間都只是略晚于臺積電。

謀求在芯片代工領(lǐng)域有更大作為的三星電子,在 2019 年年底就已計劃在這一領(lǐng)域大力投資,當時外媒在報道中表示,三星電子計劃在未來 10 年投資 1160 億美元,大力發(fā)展芯片制造業(yè)務(wù),進而為科技巨頭們代工芯片。

而從外媒最新的報道來看,三星電子將提高在芯片代工等非存儲芯片領(lǐng)域的投資。

外媒的報道顯示,三星電子在周四表示,到 2030 年,他們將在非存儲芯片領(lǐng)域投資 171 萬億韓元,折合約 1514.5 億美元,較此前計劃的 133 萬億韓元有明顯增加。

從外媒的報道來看,三星電子是在一份聲明中,宣布他們將加大在非存儲芯片領(lǐng)域的投資的。增加投資,是希望在芯片代工方面同臺積電展開競爭,與高通在智能手機處理器方面展開競爭。增加投資后,他們就將加速在先進芯片制程工藝方面的研發(fā)和生產(chǎn)線的建設(shè)。

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