IT之家 6 月 18 日消息 根據(jù)外媒 techpowerup 消息，美國公司 Applied Materials（應(yīng)用材料公司）今日宣布了一項(xiàng)新的半導(dǎo)體芯片布線技術(shù)，可以用于 3nm 制程工藝，能夠大幅減少芯片內(nèi)阻，從而提高效率，減小發(fā)熱。
官方表示，目前芯片多使用通孔在芯片中布線，隨著制程提升，這種方式可以使得連接電阻增加 10 倍，從而抵消制程進(jìn)步帶來的優(yōu)勢。
據(jù)IT之家了解，新的布線方法名為 Endura Copper Barrier Seed IMS，使用銅材質(zhì)填充通孔，采用了 7 項(xiàng)工藝和方法來實(shí)現(xiàn)。具體方法包括表面處理、定向 ALD 沉積、PVD、 CVD、銅回流等，可以在狹窄的縫隙內(nèi)填充銅元素，使得電阻降低 50% 以上。
應(yīng)用材料公司半導(dǎo)體產(chǎn)品部高級副總裁 Prabu Raja 表示，“智能手機(jī)芯片具有數(shù)百億條銅連接線，布線的內(nèi)阻消耗了芯片三分之一功率。這項(xiàng)技術(shù)在真空中進(jìn)行加工，集成多項(xiàng)技術(shù)，重新設(shè)計(jì)材料和結(jié)構(gòu)，可以使得電子產(chǎn)品獲得更長的續(xù)航時間?！?/p>
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