據(jù)韓國媒體 Businesskorea 報(bào)道，三星在芯片先進(jìn)制程方面趕超臺積電的難度可能增大。臺積電已計(jì)劃明年開始生產(chǎn) 2nm 芯片，而三星目前的規(guī)劃是明年大規(guī)模量產(chǎn) 3nm GAA 芯片，其 2nm 芯片生產(chǎn)計(jì)劃尚未提上日程。
三星雖然已經(jīng)開發(fā)出了 2nm 芯片，但尚未敲定投資計(jì)劃。三星曾透露：“我們計(jì)劃明年制造 3nm GAA 產(chǎn)品，并在 2023 年制造更先進(jìn)的 3nm GAA 產(chǎn)品?！?/p>
今年 5 月，該公司曾宣布將投資 170 億美元（約 1098 億人民幣）在美國建造能生產(chǎn) 3nm 的芯片代工廠，但目前三星還在考慮其工廠的具體選址。
對比來看，中國臺灣環(huán)境影響評估審查委員會在本周三批準(zhǔn)了臺積電 2nm 芯片新廠建設(shè)。該新廠預(yù)計(jì)占地 50 英畝（約 20 公頃），將建在新竹工業(yè)園區(qū)，計(jì)劃在 2024 年實(shí)現(xiàn)商業(yè)化量產(chǎn)。除了在本地建新廠，臺積電也在考慮明年在美國亞利桑那州建設(shè)芯片廠，來生產(chǎn) 3nm 和 4nm 芯片。
一位業(yè)內(nèi)人士稱：“臺積電在 5nm 和 7nm 芯片工藝技術(shù)商業(yè)化方面已經(jīng)超過了三星，隨著臺積電生產(chǎn)更多先進(jìn)制程芯片和提高資本支出，這一差距正在擴(kuò)大。臺積電還在臺灣建設(shè)測試生產(chǎn)設(shè)施，以確保一定水平的 2nm 良率?！?/p>
英特爾在本周二宣布將分別在 2024 年和 2025 年達(dá)到 Intel 20A 和 Intel 18A 節(jié)點(diǎn)。該公司在 3 月曾宣布重新進(jìn)入全球芯片代工市場，其精密加工工藝技術(shù)當(dāng)前在 7nm 階段。
韓媒 Businesskorea 認(rèn)為，三星正陷入夾在臺積電和英特爾之間的兩難困境。
結(jié)語：芯片代工持續(xù)先進(jìn)制程之爭
作為芯片代工廠的龍頭，臺積電和三星一直在持續(xù)競爭，從 2019 年、2020 年先后快速采用 EUV 光刻技術(shù)來突破 7nm 工藝，在 2020 年均實(shí)現(xiàn)量產(chǎn) 5nm 芯片，然后都開始計(jì)劃量產(chǎn) 3nm 芯片。
為了保持其市場優(yōu)勢和市場占有率，芯片代工廠一邊忙著擴(kuò)增成熟制程工藝的產(chǎn)能，一邊忙著推動先進(jìn)制程工藝升級和投產(chǎn)，競爭激烈。
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