IT之家 8 月 26 日消息 半導(dǎo)體制造與先進(jìn)晶圓級封裝領(lǐng)域設(shè)備供應(yīng)商，盛美半導(dǎo)體設(shè)備今日發(fā)布了新產(chǎn)品 ——Ultra ECP GIII 電鍍設(shè)備，以支持化合物半導(dǎo)體 (SiC, GaN) 和砷化鎵 (GaAs) 晶圓級封裝。該系列設(shè)備還能將金（Au）鍍到背面深孔工藝中，具有更好的均勻性和臺階覆蓋率。Ultra ECP GIII 還配備了全自動平臺，支持 6 英寸平邊和 V 型槽晶圓的批量工藝，同時結(jié)合了盛美半導(dǎo)體的第二陽極和高速柵板技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)最佳性能。
盛美半導(dǎo)體設(shè)備表示:“隨著電動汽車、5G 通信、RF 和 AI 應(yīng)用的強(qiáng)勁需求，化合物半導(dǎo)體市場正在蓬勃發(fā)展。一直以來，化合物半導(dǎo)體制造工藝的自動化水平有限，并且受到產(chǎn)量的限制。此外，大多數(shù)電鍍工藝均采用均勻性較差的垂直式電鍍設(shè)備進(jìn)行。盛美新研發(fā)的 Ultra ECP GIII 水平式電鍍設(shè)備克服了這兩個困難，以滿足化合物半導(dǎo)體不斷提升的產(chǎn)量和先進(jìn)性能需求。”
盛美的 Ultra ECP GIII 設(shè)備通過兩項(xiàng)技術(shù)來實(shí)現(xiàn)性能優(yōu)勢：盛美半導(dǎo)體的第二陽極和高速柵板技術(shù)。第二陽極技術(shù)可通過有效調(diào)整晶圓級電鍍性能，克服電場分布差異造成的問題，以實(shí)現(xiàn)卓越的均勻性控制。它可以應(yīng)用于優(yōu)化晶圓邊緣區(qū)域圖形和 V 型槽區(qū)域，并實(shí)現(xiàn) 3% 以內(nèi)的電鍍均勻性。
盛美的高速柵板技術(shù)可達(dá)到更強(qiáng)的攪拌效果，以強(qiáng)化傳質(zhì)，從而顯著改善深孔工藝中的臺階覆蓋率，同時提升的步驟覆蓋率可降低金薄膜厚度，從而為客戶節(jié)約成本。
盛美半導(dǎo)體的 Ultra ECP GIII 已取得來自中國化合物半導(dǎo)體制造商的兩個訂單。第一臺訂單設(shè)備采用第二陽極技術(shù)的銅-鎳-錫-鍍銀模塊，且集成真空預(yù)濕腔體和后道清洗腔體，應(yīng)用于晶圓級封裝，已于上月交付。第二臺訂單設(shè)備適用于鍍金系統(tǒng)，將于今年下一季度交付客戶端。
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