據(jù)業(yè)內(nèi)透露，截至第二季度，ASML EUV 設(shè)備出貨總量達(dá)到 102 臺(tái)，隨著需求量的提高和客戶群的擴(kuò)大，預(yù)計(jì) 2 年內(nèi)累計(jì)供應(yīng)量將增加 2 倍以上，標(biāo)志著 EUV 時(shí)代正式拉開帷幕。
據(jù) ETNews 報(bào)道，過去四個(gè)季度（2020 年第三季度-2021 年第二季度），ASML EUV 設(shè)備出貨總計(jì) 40 臺(tái)，較之前四個(gè)季度（2019 年第三季度-2020 年第二季度）增長了 66%。ASML 今年的出貨目標(biāo)是 40 臺(tái)左右，下半年將供應(yīng) 25 臺(tái)左右。
ASML 擴(kuò)大 EUV 設(shè)備供應(yīng)響應(yīng)了半導(dǎo)體制造業(yè)實(shí)現(xiàn)超微電路層的需求。盡管每臺(tái)設(shè)備的價(jià)格達(dá)到 1.71 億美元，但由于其卓越的工藝成本和省時(shí)效果，可以抵消設(shè)備采購的成本。業(yè)內(nèi)人士指出，通過 EUV 可以降低設(shè)備成本和工藝成本，因此，在微加工領(lǐng)域引進(jìn) EUV 設(shè)備的企業(yè)越來越多。
根據(jù) ASML 的說法，5-7nm 邏輯半導(dǎo)體（以每月 45,000 顆晶圓為基準(zhǔn)）每個(gè) EUV 層需要一臺(tái) EUV 設(shè)備，16nm 及以下節(jié)點(diǎn) DRAM（以每月 100,000 顆晶圓為基準(zhǔn)）每個(gè) EUV 層則需要 1.5-2 臺(tái)設(shè)備。三星電子計(jì)劃，到今年下半年為止，將 14nm DDR5 DRAM 的 EUV 應(yīng)用層數(shù)從 1 層增加到 5 層，SK 海力士也計(jì)劃增加 EUV 應(yīng)用層數(shù)，因此，預(yù)計(jì) EUV 設(shè)備的需求將進(jìn)一步增加。
除了 EUV 層的增加，EUV 設(shè)備的客戶群也在逐漸擴(kuò)大。繼 2018 年三星電子首次引進(jìn) 7nm 制程的 EUV 設(shè)備后，臺(tái)積電和 SK 海力士也加入了 EUV 競爭。美國的美光和英特爾也在推進(jìn) EUV 設(shè)備的引進(jìn)，預(yù)計(jì)市場規(guī)模將進(jìn)一步擴(kuò)大。
業(yè)界預(yù)測，EUV 時(shí)代將全面加速發(fā)展。因此，ASML 計(jì)劃通過增加設(shè)備供應(yīng)來滿足需求。ASML 首席執(zhí)行官 Peter Wennink 在第二季度財(cái)報(bào)會(huì)議上表示:“我們計(jì)劃明年將 EUV 設(shè)備的產(chǎn)量增加到 55 臺(tái)，到 2023 年將達(dá)到 60 臺(tái)。”兩年后，市場上將有 240 多臺(tái) EUV 設(shè)備投入使用，超過了目前積累的供應(yīng)量。
但據(jù)觀察，臺(tái)積電已確保了目前供應(yīng)的半數(shù) EUV 設(shè)備。臺(tái)積電擁有約 50 臺(tái) EUV 設(shè)備?？紤]到 EUV 設(shè)備的目前由 ASML 獨(dú)家供應(yīng)，三星電子、SK 海力士等半導(dǎo)體企業(yè)很難在短時(shí)間內(nèi)確保有足夠的設(shè)備。
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