IT之家 9 月 28 日消息 美光近期宣布已開始出貨全球首款基于 1α（1-alpha）節(jié)點(diǎn)的低功耗 DRAM（LPDRAM）內(nèi)存。從 LPDDR4X 開始，在制程技術(shù)上將進(jìn)一步降低整個(gè)移動(dòng) LPDRAM 系列產(chǎn)品的能耗。用于經(jīng)濟(jì)型和中端智能手機(jī)的 LPDDR4X 目前正在美光臺(tái)灣地區(qū)先進(jìn)的 DRAM 晶圓廠進(jìn)行批量生產(chǎn)。
美光表示，出于對(duì)電池續(xù)航的重視，1α LPDDR4X 在視頻和攝影等內(nèi)存密集型應(yīng)用中的能效比上一代基于 1z 節(jié)點(diǎn)的 LPDRAM 高出了 20%。由于 DRAM 約占系統(tǒng)用電總量的 10%，因此，在三天的使用時(shí)間內(nèi)消費(fèi)者的電池續(xù)航可增加一個(gè)小時(shí)。
▲ 基于 1α 節(jié)點(diǎn)的美光低功耗 DRAM 內(nèi)存：LPDDR4X
IT之家獲悉，美光這款新內(nèi)存的容量包含 2GB 到 8GB 不等，可支持經(jīng)濟(jì)型和中端智能手機(jī)。
美光的 1α 制程是如何提高能效的？
通常情況下新一代的 DRAM 制造節(jié)點(diǎn)可以平均節(jié)省 10% 的能耗，而 1α DRAM 的節(jié)能表現(xiàn)遠(yuǎn)高于平均水平。與其他半導(dǎo)體產(chǎn)品一樣，DRAM 需要非常精細(xì)的光刻工藝，從而在芯片上沉積、移除和蝕刻材料，美光目前所使用的工藝比上一代的 1z 制造節(jié)點(diǎn)更為高效。
美光的 1α 制程技術(shù)在降低功耗的同時(shí)，將內(nèi)存密度提升了 40%。大約一半的性能提升是通過(guò)改進(jìn) DRAM 的設(shè)計(jì)以及材料和設(shè)備來(lái)實(shí)現(xiàn)的。
美光表示，聯(lián)想成為首家驗(yàn)證美光 1α LPDDR4X 的手機(jī)客戶，證明了美光 1α 低功耗 DRAM 產(chǎn)品 的質(zhì)量和成熟度。
廣告聲明：文內(nèi)含有的對(duì)外跳轉(zhuǎn)鏈接（包括不限于超鏈接、二維碼、口令等形式），用于傳遞更多信息，節(jié)省甄選時(shí)間，結(jié)果僅供參考，IT之家所有文章均包含本聲明。