10 月 8 日消息，據國外媒體報道，5nm 芯片制程工藝已順利量產的臺積電和三星電子，都在全力推進 3nm 工藝的量產事宜，以便占得先機，進而獲得更多的代工訂單。
而韓國媒體最新的報道顯示，三星電子已確保 3nm 制程工藝有穩(wěn)定的良品率，他們計劃在明年 6 月份開始量產，代工相關的芯片。
從韓國媒體的報道來看，三星電子 3nm 制程工藝計劃在明年 6 月份開始量產，是三星電子方面的一名高管，當地時間周三在已在線方式舉行的三星代工論壇上透露的。
三星電子的 3nm 工藝，并未繼續(xù)采用采用鰭式場效應晶體管（FinFET）技術，而是采用全環(huán)繞柵極晶體管（GAA）技術。三星方面表示，采用這一工藝代工的芯片，性能較 5nm 將提升 50%，能耗降低 50%。
三星電子方面對 3nm 工藝寄予厚望，多年前就已開始研發(fā)事宜。在今年 6 月底，有外媒在報道中表示，三星電子的 3nm 工藝已成功流片，距離量產又更近了一步。
目前在推進 3nm 工藝的另一家，是當前全球最大的芯片代工商臺積電，在近幾個季度的財報分析師電話會議上，臺積電 CEO 魏哲家均透露他們的這一工藝在按計劃推進，計劃今年下半年風險試產，明年大規(guī)模量產。
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