IT之家10 月 12 日消息 10 月 12 日，三星對(duì)外宣布已開始量產(chǎn)基于極紫外（EUV）光技術(shù)的 14 納米 DRAM。
繼去年 3 月出貨首款 EUV DRAM 后，現(xiàn)階段將 EUV 的層數(shù)增加至五層，將會(huì)為 DDR5 提供更優(yōu)質(zhì)的解決方案。
三星電子高級(jí)副總裁兼 DRAM 產(chǎn)品與技術(shù)負(fù)責(zé)人 Jooyoung Lee 表示：“通過開拓關(guān)鍵的圖案化創(chuàng)新技術(shù)，我們?cè)诮甑臅r(shí)間里一直引領(lǐng)著 DRAM 市場(chǎng)。如今，三星正在通過多層 EUV 建立起另一個(gè)技術(shù)的里程碑，該技術(shù)實(shí)現(xiàn)了 14 納米的極致化 —— 這是傳統(tǒng)氟化氬 (ArF) 工藝無法實(shí)現(xiàn)的壯舉。在此基礎(chǔ)上，我們將繼續(xù)為 5G、AI 和虛擬世界中需要更高性能和更大容量的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)計(jì)算，提供最具差異化的內(nèi)存解決方案。”
三星通過在 14 納米 DRAM 中添加五個(gè) EUV 層，實(shí)現(xiàn)了超高的比特密度，同時(shí)將整體晶圓的生產(chǎn)率提高了約 20%。此外與上一代 DRAM 相比，14 納米工藝有助于降低近 20% 的功耗。
根據(jù)最新 DDR5 的標(biāo)準(zhǔn)，三星的 14 納米 DRAM 可帶來 7.2Gbps 的超高速，是前代 DDR4 的 3.2Gbps 最高速度的兩倍多。
IT之家了解到，同時(shí)三星計(jì)劃擴(kuò)展其 14 納米 DDR5 的產(chǎn)品組合，用來支持?jǐn)?shù)據(jù)中心、超級(jí)計(jì)算機(jī)和企業(yè)服務(wù)器應(yīng)用。此外，三星預(yù)計(jì)將其 14 納米 DRAM 芯片密度增加到 24Gb，以更好地滿足全球 IT 系統(tǒng)快速增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)需求。
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