編者注：本文作者湯之上隆為日本精密加工研究所所長(zhǎng)，曾長(zhǎng)期在日本制造業(yè)的生產(chǎn)第一線從事半導(dǎo)體研發(fā)工作，2000 年獲得京都大學(xué)工學(xué)博士學(xué)位，之后一直從事和半導(dǎo)體行業(yè)有關(guān)的教學(xué)、研究、顧問及新聞工作者等工作，曾撰寫《日本“半導(dǎo)體”的失敗》、《“電機(jī)、半導(dǎo)體”潰敗的教訓(xùn)》、《失去的制造業(yè)：日本制造業(yè)的敗北》等著作。
▲ 全球半導(dǎo)體產(chǎn)量增加和投資熱潮正在世界各地進(jìn)行
本文是湯之上隆近日發(fā)表于 eetimes.jp 上的一篇長(zhǎng)文，系統(tǒng)分析了在不穩(wěn)定的供應(yīng)鏈背景下，世界各地掀起的半導(dǎo)體投資熱潮可能將伴隨著潛在危機(jī)，以及 DRAM 和 NAND 出貨額、出貨量及價(jià)格變化如何影響存儲(chǔ)器市場(chǎng)的發(fā)展走向。芯東西對(duì)此進(jìn)行精編，全文要點(diǎn)如下：
過去一年，臺(tái)積電、三星等全球芯片制造龍頭接連宣布巨額投資計(jì)劃。
臺(tái)積電計(jì)劃未來三年投資 1000 億美元（折合 6436 億人民幣），三星電子未來三年計(jì)劃投資 240 萬(wàn)億韓元（折合 1.3 萬(wàn)億人民幣），不過半導(dǎo)體業(yè)務(wù)具體占比未知。英特爾宣布未來 10 年將在歐洲投資 800 億歐元（折合 5979 億人民幣）。
各國(guó)也提供補(bǔ)貼來支持這些公司的資本投資。比如美國(guó)擬撥款 520 億美元加強(qiáng)其本土半導(dǎo)體制造能力，歐盟 17 國(guó)簽署萬(wàn)億半導(dǎo)體計(jì)劃，韓國(guó)建立“K-半導(dǎo)體戰(zhàn)略”概念提供稅收優(yōu)惠等激勵(lì)。
據(jù)日經(jīng)新聞今年 8 月 28 日?qǐng)?bào)道，2021 年 10 家主要半導(dǎo)體廠商的資本投資總額將超過 6800 億人民幣。SEMI 的一項(xiàng)調(diào)查顯示，從 2021 年到 2022 年，已確認(rèn)的半導(dǎo)體工廠開工數(shù)量將達(dá)到 29 家。
在湯之上隆看來，這種反常的資本投入和工廠林立的現(xiàn)象，就像是被“花衣魔笛手”操縱的老鼠，一步步走向懸崖，懸崖底部等待著的是半導(dǎo)體價(jià)格暴跌，以及接下來的半導(dǎo)體大蕭條。
01. 半導(dǎo)體產(chǎn)量大幅增長(zhǎng)，誰(shuí)引領(lǐng)了存儲(chǔ)市場(chǎng)的快速擴(kuò)張？
各大半導(dǎo)體廠商已投資逾 6800 億人民幣，29 家工廠的建設(shè)已經(jīng)開始，但這些工廠的半導(dǎo)體量產(chǎn)似乎最早要到 2022 年下半年，正常情況下要到 2023 年才能完成。
然而，有跡象表明，全球半導(dǎo)體產(chǎn)量已經(jīng)開始大幅增加。如下圖所示，全球半導(dǎo)體季度出貨額和出貨量在 2018 年 Q3 內(nèi)存泡沫破滅時(shí)，分別達(dá)到 2658 億美元和 1249 億個(gè)的峰值。
▲ 季度全球半導(dǎo)體出貨額和出貨量（1991-2021 Q2）
之后因存儲(chǔ)器市場(chǎng)不景氣，出貨額和出貨量有所下滑，但在 2020 年 Q2 之后大幅回升。隨后，2021 年 Q2 出貨額達(dá) 2894 億美元，出貨量 1336 億個(gè)，創(chuàng)季度歷史新高。這種勢(shì)頭在未來很可能會(huì)持續(xù)下去。
接下來，讓我們看看半導(dǎo)體類型劃分的季度出貨量。2021 年 Q2，邏輯半導(dǎo)體為 363 億美元，包括處理器和微控制器在內(nèi)的 Mos Micro 為 189 億美元，模擬半導(dǎo)體為 178 億美元，均創(chuàng)下季度新高。
▲ 按類型劃分的季度半導(dǎo)體出貨量（1991-2021 Q2）
另一方面，包括 DRAM 和 NAND 閃存在內(nèi)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)（Mos Memory）的出貨額并未超過 2018 年 Q3 的峰值（441 億美元）。但從 2020 年 Q4 到 2021 年 Q2 出貨量的急劇上漲，不免令人心生恐懼，因?yàn)檫@個(gè)斜率與 2016-2018 年 Q3 的內(nèi)存泡沫相當(dāng)。
話雖如此，存儲(chǔ)器出貨額不會(huì)無限增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)會(huì)在某個(gè)時(shí)刻供過于求，達(dá)到峰值，隨后等待著他們的，則可能是存儲(chǔ)器價(jià)格暴跌和隨后的市場(chǎng)不景氣。
那么，主導(dǎo)存儲(chǔ)市場(chǎng)快速擴(kuò)張的主角是 DRAM、NAND，還是兩者兼而有之？本文嘗試進(jìn)行這種分析。
02. DRAM 出貨量急劇上漲，今年 Q2 達(dá)歷史新高
下圖顯示了 DRAM 季度出貨額和出貨量的變化。
▲ DRAM 季度出貨額及出貨量變化（~2021 Q2）
湯之上隆判斷存儲(chǔ)器市場(chǎng)的急劇增長(zhǎng)由 DRAM 引起。這是因?yàn)椋瑥?2020 年 Q4 到 2021 年 Q2，DRAM 的出貨量開始呈現(xiàn)近乎垂直的趨勢(shì)。這與下圖中的存儲(chǔ)器出貨量非常相似。
▲ 按類型劃分的季度半導(dǎo)體出貨量（1991-2021 Q2）
那么 DRAM 出貨量為何會(huì)飆升呢？從 2010 年到 2018 年前后，DRAM 出貨量一直保持在 40 億個(gè)左右，但從 2019 年 Q3 左右開始大幅增加，2021 年 Q2 達(dá)到 55.3 億個(gè)的歷史新高。
湯之上隆認(rèn)為，造成這種情況的原因如下：2012 年以來，DRAM 廠商實(shí)際上集中在三星、SK 海力士和美光科技三家公司，并通過暗中達(dá)成一致意見進(jìn)行生產(chǎn)調(diào)整，保持出貨量在一定水平。
不過，隨著 DRAM 主戰(zhàn)場(chǎng)從 2019 年下半年開始從移動(dòng)端轉(zhuǎn)移到服務(wù)器端，上述三大廠商放棄了暗中串通，重新展開競(jìng)爭(zhēng)。結(jié)果，三家公司都增加了出貨量，導(dǎo)致世界范圍內(nèi) DRAM 出貨量急劇上漲。除了這三大 DRAM 廠商的競(jìng)爭(zhēng)之外，新冠肺炎疫情的影響也應(yīng)涉及其中。
03. NAND 出貨量變化相對(duì)平穩(wěn)，不是存儲(chǔ)市場(chǎng)快速擴(kuò)張主因
我們?cè)賮砜纯?NAND 季度出貨額和出貨量變化。自 2000 年以來，NAND 出貨量幾乎呈線性增長(zhǎng)，但這一增長(zhǎng)到 2016 年后停止了。
湯之上隆認(rèn)為，這是由于 NAND 從 2D 到 3D 的轉(zhuǎn)變。在 2D 上，存儲(chǔ)單元已經(jīng)小型化，芯片尺寸也已經(jīng)變得更小。因此，芯片進(jìn)一步微縮后，1 片晶圓上能獲得的 NAND 數(shù)量也隨之增加。
▲ NAND 出貨價(jià)值和出貨量變化（~2021 Q2）
但從 2016 年開始，NAND 實(shí)現(xiàn) 3D 化。為了增加存儲(chǔ)容量，3D NAND 采用了存儲(chǔ)單元垂直堆疊的方式，因而芯片尺寸基本不變。故湯之上隆認(rèn)為自 2016 年 NAND 走向 3D 化，其出貨量已趨于平穩(wěn)。
NAND 出貨量在存儲(chǔ)泡沫的 2018 年 Q3 達(dá)到約 30 億個(gè)，但隨后在 2019 年 Q1 下降至 22 億個(gè)，又在 2019 年 Q4 恢復(fù)到 30 億個(gè)。然后受新冠肺炎疫情影響，它在 2020 年 Q2 減少到約 26 億個(gè)，之后開始穩(wěn)步回升，在 2021 年 Q2 創(chuàng)下約 33 億個(gè)的歷史新高。
也就是說，在疫情爆發(fā)前后，DRAM 出貨量從大約 40 億個(gè)上升到 55 億個(gè)以上，而 NAND 出貨量?jī)H從 30 億個(gè)上升到 33 億個(gè)。因此，可以說存儲(chǔ)器市場(chǎng)迅速崛起的主要源頭是 DRAM，而不是 NAND。
04. DRAM 現(xiàn)貨價(jià)變化如何影響存儲(chǔ)器市場(chǎng)？
從當(dāng)前分析來看，DRAM 出貨量的增加與 2020 年 Q4-2021 年 Q2 存儲(chǔ)器市場(chǎng)的急劇擴(kuò)張有關(guān)。那么，這與 DRAM 價(jià)格的有多大關(guān)系呢？下面，我們來對(duì) DRAM 的現(xiàn)貨價(jià)和合約價(jià)進(jìn)行分析。
首先，下圖顯示了 2020 年 12 月 31 日至 2021 年 9 月 17 日期間各種 DRAM 的現(xiàn)貨價(jià)格。這里 DDR 是 Double Data Rate 的縮寫，表示 DRAM 規(guī)格，DDR3 的傳輸速率是 DDR2 的 2 倍，DDR4 的傳輸速率是 DDR3 的 2 倍。
▲ 各種 DRAM 現(xiàn)貨價(jià)格（2020 年底-2021 年 9 月 17 日）
從上圖可以看出，DDR4 DRAM 比 DDR3 更貴，同一 DRAM 規(guī)格時(shí)，集成度高的價(jià)格更高。
接下來，將 2020 年 12 月 31 日的 DRAM 價(jià)格標(biāo)準(zhǔn)化為“1”，觀察各種 DRAM 價(jià)格的變化。到 2021 年 3~4 月，兩種 DDR3_2Gb DRAM 價(jià)格上漲了 2.4-2.5 倍以上。其次價(jià)格上漲的兩款 DDR3_4G，漲幅在 1.9~2 倍以上，兩款 DDR4_4G 緊隨其后，漲幅在 1.8~1.9 倍。
▲ 標(biāo)準(zhǔn)化的各類 DRAM 現(xiàn)貨價(jià)（2020 年底-2021 年 9 月 17 日）
另一方面，集成度最高的 16G 在 3 月份左右上漲了 1.2 倍左右，其次的兩種 DDR4_8G 價(jià)格上漲了約 1.4~1.5 倍。簡(jiǎn)而言之，在 DRAM 現(xiàn)貨價(jià)格中，傳輸速率低、集成度不高的傳統(tǒng) DRAM 價(jià)格一路高漲。從 DRAM 合約價(jià)的變化也可以看出這個(gè)趨勢(shì)。
05. 傳統(tǒng) DRAM 現(xiàn)貨價(jià)和合約價(jià)都在上漲
下圖顯示了 2020 年 9 月至 2021 年 8 月各種 DRAM 的合約價(jià)變化。與現(xiàn)貨價(jià)格類似，其價(jià)格按 DDR2、DDR3、DDR4 的順序上漲，如果 DDR 相同，集成度越高，價(jià)格越高。
▲ 各種 DRAM 合約價(jià)（2020 年 9 月-2021 年 8 月）
接下來，我們將 2020 年 12 月的合約價(jià)標(biāo)準(zhǔn)化為“1”，并查看了各種 DRAM 價(jià)格的變化，結(jié)果顯示價(jià)格從高到低依次是 DDR3_2G、DDR2_512M、DDR2_1G、DDR3_1G，價(jià)格從高到低。另一方面，兩款 DRAM 集成度最高的 DDR4_8G 的漲價(jià)幅度最低。
▲ 標(biāo)準(zhǔn)化的各種 DRAM 合約價(jià)（2020 年底-2021 年 8 月）
換句話說，無論是現(xiàn)貨價(jià)還是合約價(jià)，傳統(tǒng) DRAM 價(jià)格都在上漲，而集成度高的 DRAM 價(jià)格并沒有上漲那么多。為什么會(huì)發(fā)生這樣的事情呢？
06. 新冠肺炎疫情催化傳統(tǒng) DRAM 價(jià)格飆漲
也許價(jià)格大幅上漲的傳統(tǒng) DRAM 主要應(yīng)用于家用電器產(chǎn)品等領(lǐng)域。新冠肺炎疫情迫使人們呆在家里。結(jié)果，為了在家里更舒適地生活，人們就在網(wǎng)購(gòu)家電產(chǎn)品，這些家電產(chǎn)品不需要高傳輸速率、高集成度的 DRAM，因此，市場(chǎng)上很少出現(xiàn)的傳統(tǒng) DRAM 價(jià)格飆漲。
▲ 標(biāo)準(zhǔn)化的各類 DRAM 現(xiàn)貨價(jià)（2020 年底至 2021 年 9 月 17 日）
這個(gè)推論可以從下面的事件中得到證實(shí)。首先，我們?cè)賮砜纯瓷厦孢@張圖，一直上漲的傳統(tǒng) DRAM 現(xiàn)貨價(jià)格從 7 月左右開始下跌。此時(shí)全球都在推進(jìn)新冠肺炎疫苗接種，封鎖也被逐漸解除。
因此，對(duì)新冠肺炎疫情的需求可能曾經(jīng)收斂。不過傳統(tǒng) DRAM 的合約價(jià)還在上漲，這一推論是否正確還有待驗(yàn)證。
下圖顯示了集成度不同的每月 DRAM 出貨量。DRAM 每隔 3-4 年就會(huì)被集成度最高的產(chǎn)品所取代。目前主流的 DRAM 是 4G 以上的 8G 或 16G。
由于現(xiàn)貨價(jià)和合約價(jià)漲幅較大的 2G 在 2013 年見頂，1G 在 2010 年達(dá)到峰值，512M 在 2008 年左右達(dá)到峰值，因此，市場(chǎng)上 DRAM 的絕對(duì)數(shù)量很少。稀有的 DRAM 因突發(fā)的新冠肺炎疫情而變得必要，所以價(jià)格上漲超 2 倍。
▲ 按集成度劃分的 DRAM 月出貨量（1991 年 1 月-2021 年 6 月）
07. DRAM 出貨額上漲背后，兩大因素雙重作用
再回到下圖中從 2020 年 Q4 到 2021 年 Q1 DRAM 出貨額的快速增長(zhǎng)。其快速增長(zhǎng)的第一個(gè)原因是 DRAM 出貨量的增加。
▲ DRAM 季度出貨額及出貨量變化（1991-2021 Q2）
那么 DRAM 價(jià)格上漲的影響有多大？從下圖中按集成度劃分的 DRAM 出貨量可以看出，目前生產(chǎn)的 DRAM 大部分是 4G、8G 和 16G。
▲ 按集成度劃分的 DRAM 月出貨量（1991 年 1 月-2021 年 6 月）
由下圖可見，高集成度 DRAM（例如 8G）的合約價(jià)上漲了 1.44 倍。
▲ 標(biāo)準(zhǔn)化的各種 DRAM 合約價(jià)（2020 年底-2021 年 8 月）
我們來算一下為什么 DRAM 出貨量從 2020 年 Q4 到 2021 年 Q2 會(huì)快速增長(zhǎng)。
▲ 2020 年 Q4 至 2021 年 Q2 DRAM 出貨量增長(zhǎng)背后的因素
DRAM 出貨額從 149.86 億美元增至 235.3 億美元（1.57 倍）
DRAM 出貨量從 48.88 億個(gè)增加到 55.29 億個(gè)（1.13 倍）
主流的 DDR4_8G 合約價(jià)從 2.85 美元漲至 4.1 美元（1.44 倍）
（出貨量系數(shù) 1.13）x（漲價(jià)系數(shù) 1.44）= 1.62
如上所述，DRAM 出貨量增長(zhǎng)幅度（1.57 倍）與出貨量增長(zhǎng) 1.13 倍、主流 DRAM 價(jià)格增長(zhǎng) 1.44 倍的乘積值（1.62 倍）大致相當(dāng)。
因此，可以說這張圖中 DRAM 出貨額的增加是由出貨量和價(jià)格上漲兩方面因素共同造成的。一開始湯之上隆以為出貨量的增加會(huì)帶來更大影響，但后來發(fā)現(xiàn)價(jià)格上漲反而會(huì)帶來更大的影響。
▲ DRAM 出貨量季度出貨量及數(shù)量變化（~2021 Q2）
08. NAND 現(xiàn)貨價(jià)走勢(shì)難解
湯之上隆也對(duì) NAND 進(jìn)行了現(xiàn)貨價(jià)和合約價(jià)的分析。首先，下圖展示了 2020 年 12 月 31 日~2021 年 9 月 17 日期間各種 NAND 的現(xiàn)貨價(jià)走勢(shì)。
▲ 各種 NAND 的現(xiàn)貨價(jià)（2020 年 12 月 31 日~2021 年 9 月 17 日）
SLC 是 Single Level Cell, MLC 是 Multi Level Cell, TLC 是 Triple Level Cell，分別是可以在一個(gè)存儲(chǔ)器單元中寫入 1 位、2 位、3 位的 NAND。另外 3D TLC 是 3D NAND 的意思，沒有 3D 的 NAND 都是 2D NAND。
繼續(xù)看上面這張圖，可以看到 3D TLC 1T（1TB）是最高的，SLC 1G 和 SLC 2G 是最便宜的，除此之外沒有規(guī)律。
因此，與 DRAM 的情況相同，湯之上隆觀察了 2020 年 12 月 31 日將價(jià)格標(biāo)準(zhǔn)化為“1”時(shí)各種 NAND 的價(jià)格變化。要解釋下面這張圖相當(dāng)困難。首先，從整體上來說，沒有哪一種 NAND 的價(jià)格像 DRAM 的現(xiàn)貨價(jià)一樣上漲 2 倍。價(jià)格最高的 SLC_2G 也只有 1.2~1.27 倍。
▲ 標(biāo)準(zhǔn)化的各種 NAND 的現(xiàn)貨價(jià)（2020 年末-2021 年 9 月 17 日）
此外，MLC_128G 和 MLC_256G 的價(jià)格幾乎呈線性增長(zhǎng)。SLC_16G 價(jià)格從 8 月下旬開始突然猛漲。另一方面，SLC_8G 自 4 月中旬以后，價(jià)格下降到“1”以下，持續(xù)下降到 0.93。
那么，為何上述 NAND 會(huì)有這樣的表現(xiàn)呢？這很難明確回答，比如 SLC_2G 和 SLC_1G 的價(jià)格相對(duì)較高。由于 SLC 的集成度不高，可以考慮汽車等要求高可靠性但不關(guān)注集成度的應(yīng)用（雖然沒有太多證據(jù)）。
09. NAND 的現(xiàn)貨價(jià)和合約價(jià)未大幅上漲
接下來，我們來看一下 2020 年 12 月~2021 年 8 月期間各種 NAND 合約價(jià)的變化。價(jià)格最高的是 SLC_32G，其次是 SLC_16G，MLC_128G 為第三。由此可見，NAND 并不是集成度越高，價(jià)格越高。
▲ 各種 NAND 合約價(jià)（2020 年 12 月-2021 年 8 月）
如果集成度相同，均為 32G，MLC 價(jià)格約為 3 美元，而 SLC 達(dá)到 4 倍以上，為 12.55 美元。換言之，對(duì)于汽車和高性能計(jì)算機(jī)等可靠性要求嚴(yán)格的產(chǎn)品，可使用 SLC 而非 MLC。
NAND 廠商在開發(fā) TLC 之后又開發(fā)了 Quad Level Cell（4 位單元）和 Penta Level Cell（5 位單元），但這些多位單元似乎不能用于所有終端產(chǎn)品。
湯之上隆們將 2020 年 12 月合約價(jià)標(biāo)準(zhǔn)化為“1”，觀察各種 NAND 價(jià)格的變化。結(jié)果顯示，所有 NAND 在 2021 年 3 月~4 月期間價(jià)格上漲了 1.06~1.1 倍，6 月~7 月再漲了 1.5~1.18 倍。
▲ 標(biāo)準(zhǔn)化的各種 NAND 合約價(jià)（2020 年末-2021 年 8 月）
到 2021 年 8 月，MLC_32G、MLC_128G 和 MLC_64G 是價(jià)格漲幅最大的，然后是 SLC_1G。誠(chéng)然，SLC_1G 屬于現(xiàn)貨價(jià)格漲幅較大的一類，但 SLC_2G 在 8 月中旬之前現(xiàn)貨價(jià)漲幅最大，是合約價(jià)漲幅最小的類型。
綜上所述，無論是 NAND 的現(xiàn)貨價(jià)還是合約價(jià)，都沒有像 DRAM 那樣大幅上漲。此外，存儲(chǔ)單元的大小、集成度與 NAND 價(jià)格之間的相關(guān)關(guān)系很難找到。順便一提，目前生產(chǎn)的 NAND 中，集成度超過 512G 的 NAND 逐漸取代 256G 成為主流。
▲ 各集成度 NAND 每月出貨量（1991 年 1 月~2021 年 6 月）
10. 結(jié)語(yǔ)：存儲(chǔ)器市場(chǎng)的急速擴(kuò)張，將持續(xù)到何時(shí)?
從各季度半導(dǎo)體出貨量來看，2020 年 Q4 至 2021 年 Q2，存儲(chǔ)器市場(chǎng)迅速擴(kuò)張。其主要原因在于 DRAM 而非 NAND。在 DRAM 方面，出貨量創(chuàng)下季度歷史新高，超過 55 億個(gè)。同時(shí)，由于主力產(chǎn)品 8G 合約價(jià)上漲 1.44 倍，DRAM 出貨金額也增加了 1.57 倍，達(dá)到 235.3 億美元。
另外，傳統(tǒng) DRAM 的現(xiàn)貨價(jià)和合約價(jià)都上漲 2 倍以上。經(jīng)分析，傳統(tǒng) DRAM 的絕對(duì)數(shù)量較少，且因新冠肺炎疫情盤踞，各種家電需求擴(kuò)大，導(dǎo)致價(jià)格上漲。
DRAM 市場(chǎng)以及存儲(chǔ)器市場(chǎng)的迅速擴(kuò)張將持續(xù)到何時(shí)？這可能取決于 MPU。2016 年英特爾 10nm 工藝“難產(chǎn)”，后來它又為 14nm“續(xù)命”，為了提高 MPU 的性能，增加內(nèi)核數(shù)量，因此增加了芯片面積，因而從 1 片晶圓可獲取的芯片數(shù)量減少了。
▲ 每季度 MPU、DRAM、NAND 出貨量
受此影響，2016 年 Q3 全球 MPU 出貨量為 1.36 億個(gè)，到 2019 年 Q1 降至 8800 萬(wàn)個(gè)，減少了 4800 萬(wàn)個(gè)。由于全球 MPU 短缺，面向 PC 和服務(wù)器生產(chǎn)的 DRAM 和 NAND 充斥市場(chǎng)，致使價(jià)格暴跌，引發(fā)半導(dǎo)體大蕭條。
MPU 在 2021 年 Q2 的出貨量為 1.2 億個(gè)，雖然離 2016 年 Q3 的高峰期還有些不足，但出貨量正在穩(wěn)步增長(zhǎng)?；蛟S英特爾已確定量產(chǎn) 10nm 的目標(biāo)，也有可能為 AMD 代工的臺(tái)積電 MPU 產(chǎn)量提高。
無論如何，在 MPU 出貨量增加的當(dāng)下，存儲(chǔ)器價(jià)格不太可能暴跌。但到 2024 年左右，當(dāng)英特爾在美國(guó)亞利桑那州開設(shè)的新半導(dǎo)體工廠量產(chǎn)時(shí)，MPU 可能會(huì)供過于求。
湯之上隆希望各半導(dǎo)體制造商正確地進(jìn)行市場(chǎng)營(yíng)銷，冷靜地、有計(jì)劃地生產(chǎn)半導(dǎo)體，不要進(jìn)行毫無意義的競(jìng)爭(zhēng)。
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