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消息稱專用 DRAM 和 NOR 閃存芯片明年仍將供不應(yīng)求

2021/10/25 17:49:17 來源:愛集微 作者:holly 責(zé)編:江離

業(yè)內(nèi)消息人士稱,由于供應(yīng)受限,專用 DRAM 和 NOR 閃存芯片的供應(yīng)在 2022 年持續(xù)供不應(yīng)求。

據(jù) Digitimes 報(bào)道,三星電子、SK 海力士等 DRAM 芯片供應(yīng)商都希望逐步退出利基市場,因?yàn)?CIS 的需求前景更加廣闊,他們打算將更多的 DRAM 產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為 CIS 產(chǎn)線。

“由于三星電子和 SK 海力士因退出低密度領(lǐng)域而大幅削減其 DRAM 產(chǎn)量,平均 DRAM 價(jià)格可能會(huì)從 2022 年下半年開始反彈?!毕⑷耸空f道。

專用 DRAM 開發(fā)商 Elite Semiconductor Memory Technology (ESMT)表示,該公司預(yù)計(jì)其銷售額將在 2022 年第三季度達(dá)到頂峰。

ESMT 稱,盡管需求受到非內(nèi)存 IC 短缺的負(fù)面影響,但上游代工廠仍被要求與專用 DRAM 廠商簽訂長期合同。另外,ESMT 表示,NOR 閃存明年也將出現(xiàn)供應(yīng)緊張的情況,促使相關(guān)設(shè)計(jì)公司和下游設(shè)備公司也與晶圓廠達(dá)成長期供應(yīng)協(xié)議。

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關(guān)鍵詞:DRAM,閃存芯片

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