IT之家 10 月 30 日消息，據(jù)中國科學(xué)院官網(wǎng)，中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所研究人員與華東師范大學(xué)研究員袁清紅團(tuán)隊(duì)等在新型碳基二維半導(dǎo)體材料研究中獲進(jìn)展。
以石墨烯為代表的碳基二維材料自發(fā)現(xiàn)以來受到了廣泛關(guān)注。不過，石墨烯的零帶隙半導(dǎo)體性質(zhì)嚴(yán)重限制了其在微電子器件領(lǐng)域的應(yīng)用。
研究人員通過近 5 年努力，借助實(shí)驗(yàn)技術(shù)與理論研究，在雙層 C3N 的帶隙性質(zhì)、輸運(yùn)性質(zhì)等研究領(lǐng)域取得突破，進(jìn)一步證明雙層 C3N 在納米電子學(xué)等領(lǐng)域的重要應(yīng)用潛力。
據(jù)介紹，該工作證明了通過控制堆垛方式實(shí)現(xiàn)雙層 C3N 從半導(dǎo)體到金屬性轉(zhuǎn)變的可行性。更重要的是，研究還發(fā)現(xiàn)通過施加外部電場可實(shí)現(xiàn) AB' 堆垛雙層 C3N 帶隙的調(diào)制。
IT之家了解到，報(bào)道稱，該工作是 C3N 材料實(shí)驗(yàn)與理論研究的重要突破，為進(jìn)一步構(gòu)建新型全碳微電子器件提供了支撐。相關(guān)工作得到國家自然科學(xué)基金、上海微系統(tǒng)所新微之星項(xiàng)目等的支持。
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