IT之家 11 月 19 日消息，外媒 ComputerBase 今天分享了三星電子在“2021 三星技術(shù)日”當天公開的未來發(fā)展藍圖和存儲技術(shù)革新的內(nèi)容。
▲ 圖自三星半導(dǎo)體
外媒稱，三星在準備 DDR5 技術(shù)的后繼產(chǎn)品 DDR6，據(jù)稱該技術(shù)的速度和帶寬是 DDR5 的兩倍。
DDR6 標準還沒有被 JEDEC 正式確定，默認的規(guī)格應(yīng)該在 DDR6-12800 左右。三星證實，該技術(shù)尚處于早期開發(fā)階段，因此公司共享的數(shù)據(jù)可能會發(fā)生變化。外媒稱，DDR6 超頻內(nèi)存有望達到 DDR6-17000。
據(jù)稱，DDR6 內(nèi)存每個模塊將擁有 4 個通道，是 DDR5 的兩倍；bank 數(shù)量將達到 64 個，是 DDR4 的 4 倍。
顯存方面，三星現(xiàn)在正在開發(fā) GDDR6 + 標準，提供高達 24 Gbps 的速度，高于當前 GDDR6 標準提供的 18 Gbps，使用三星的 1znm 工藝制造。此外，GDDR7 標準也在路線圖中，但沒有更多細節(jié)。
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