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內(nèi)存現(xiàn)貨價格下跌速度放緩,預(yù)計明年 Q1 觸底

2021/11/30 11:02:10 來源:愛集微 作者:思坦 責(zé)編:遠(yuǎn)洋

業(yè)內(nèi)人士表示,DRAM 和 NAND 閃存的現(xiàn)貨價格繼續(xù)下跌,但速度有所放緩,預(yù)計將在明年第一季觸底。

據(jù)《電子時報》報道,11 月主流 8Gb 和 16Gb DDR4 芯片現(xiàn)貨價格下跌 0.7-1.5%,而 10 月的平均跌幅為 7%,11 月 3D TLC NAND 閃存芯片現(xiàn)貨價格跌幅同樣較上月趨緩,SLC 和 MLC NAND 芯片價格已停止下跌。

消息人士指出,為保持價格穩(wěn)定,上游芯片供應(yīng)商對明年的產(chǎn)能擴張保持謹(jǐn)慎,使得現(xiàn)貨市場的供應(yīng)商能夠協(xié)商出更好的價格。據(jù)消息人士稱,2022 年 DRAM 整體位供應(yīng)量預(yù)計將增加約 5%。

同時,出于盈利考慮,芯片供應(yīng)商正尋求將更多用于低密度商品 DRAM 內(nèi)存的可用產(chǎn)能轉(zhuǎn)移至 CMOS 圖像傳感器的制造,同時啟動 DDR6 內(nèi)存研發(fā)。

該消息人士稱,盡管渠道零售商和分銷商對 2022 年第一季度的需求前景仍然悲觀,但在 2 月中旬之后,需求的可見度有可能變得更加清晰。

終端市場方面,新的第 12 代英特爾酷睿處理器家族預(yù)計將從明年開始刺激 PC 應(yīng)用的需求。智能手機方面,明年新的 5G 機型是否會刺激終端市場需求仍有待觀察。服務(wù)器方面,需求可能會在 2022 年 1 月中旬之后開始回升。

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關(guān)鍵詞:內(nèi)存,芯片

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