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臺積電、英特爾高管預測 3D 化將帶動芯片性能提升,半導體設備和材料迎新商機

2021/12/19 11:14:46 來源:愛集微 作者:James 責編:問舟

據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)報道,在 12 月 15 日于日本東京都內(nèi)開幕的半導體展會“Semicon Japan”上,臺積電(TSMC)和美國英特爾的高管發(fā)表演講,預測稱 3D 化將帶動半導體性能提升。著眼新制造技術的開發(fā),設備和材料廠商將發(fā)揮更加重要的作用。

半導體

“在 3D 封裝生態(tài)系統(tǒng)的構建上,基板、封裝等設備和材料將越來越重要”,在日本茨城縣筑波市設置了研發(fā)基地的臺積電總監(jiān) Chris Chen 這樣強調。3D 化是在同一基板上集成更多芯片的技術。該基地將開發(fā)用樹脂等封裝半導體并將其配備在基板上的技術。

以臺積電為代表的半導體大企業(yè)之所以大力研發(fā) 3D 封裝技術,是因為僅靠傳統(tǒng)的技術開發(fā),已經(jīng)難以滿足以智能手機為代表的最終產(chǎn)品所要求的高性能。

此前對半導體性能提高起到重要作用的是縮小電子電路面積的“微細化”技術。但目前電路線寬已經(jīng)微細化至幾納米,開發(fā)難度越來越高。因此,除了在一個芯片上集成微小電路之外,在同一基板上集成更多芯片的技術也成為關鍵。

當天發(fā)表演講的英特爾高管 Peng Bai 表示“封裝技術的升級換代是發(fā)揮摩爾定律性能的重要因素”。呼吁日本的設備和材料廠商加緊投資并與英特爾展開合作。

值得一提的是,AMD 已成為 3D 封裝先鋒。今年 11 月,超微 (AMD-US) 首顆基于 3D Chiplet 技術的資料中心 CPU 正式亮相,藉由臺積電 (2330-TW) 先進封裝制程,擊敗英特爾 (INTC-US) 贏得 Meta (FB-US) 訂單,業(yè)界傳出,此次先進封裝制程除了前端繼續(xù)采用與晶圓制程相近的設備外,濕制程階段則由弘塑 (3131-TW)、辛耘 (3583-TW) 分別與信纮科 (6667-TW) 搭配,組成套裝設備,直接供應臺積電,扮演臺灣在地供應鏈要角。

此外,日本首相岸田文雄在本次會議上發(fā)表視頻致辭表示,為了加強日本國內(nèi)的半導體制造體制,“(日本)政府和民間將實施合計超過 1 萬 4000 億日元的大膽投資”。

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