12 月 17 日，“杭州芯火壹號(hào)”HX001 芯片發(fā)布，宣告杭州國(guó)家“芯火”第一顆芯片 —— 超大窗口阻變隨機(jī)存儲(chǔ)器芯片誕生。該芯片是杭州國(guó)家“芯火”雙創(chuàng)平臺(tái)共性技術(shù)研究的一部分，由杭州國(guó)家“芯火”雙創(chuàng)平臺(tái)與浙江大學(xué)微納電子學(xué)院協(xié)同開(kāi)發(fā)完成。
圖片來(lái)源：杭州國(guó)家芯火
據(jù)悉，“杭州芯火壹號(hào)”HX001 芯片的阻變器件選擇插層結(jié)構(gòu)，采用雙層或多層的插層結(jié)構(gòu)來(lái)固定導(dǎo)電細(xì)絲在電極、插層和阻變層界面處的位置，制備 Pd / Al2O3 / HfO2 / NiOx / Ni 結(jié)構(gòu)，來(lái)有效地減少阻變器件的阻變參數(shù)的離散性。具有 Pd / Al2O3 / HfO2 / NiOx / Ni 結(jié)構(gòu)的阻變器件不需要 Forming 操作，從而有效提高憶阻器的窗口，存儲(chǔ)窗口可大于 106，并減少了對(duì)器件的后端集成。同時(shí)，采用十字交叉陣列將單元面積做到 40F2，大大提高了阻變器件的集成密度。
檢測(cè)報(bào)告顯示：HX001 芯片的工作電壓小于 5V；所讀取的憶阻器阻值窗口遠(yuǎn)大于 106；在 150℃環(huán)境下，分別在 1s，30s，100s，300s，1000s，3000s 時(shí)加約 0.1V 小電壓對(duì)憶阻器進(jìn)行數(shù)據(jù)保持特性測(cè)試，憶阻器均能保持電阻阻值穩(wěn)定；根據(jù)模型外推憶阻器所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)可在 150℃環(huán)境溫度下保持 10 年以上；憶阻器單元面積小于 40F2。目前，已申請(qǐng)一項(xiàng)國(guó)家發(fā)明專利。
杭州國(guó)家芯火消息稱，目前“HX001”芯片已經(jīng)多家單位評(píng)測(cè)試用，用戶均認(rèn)為該芯片產(chǎn)品具有較好的存儲(chǔ)特性和可靠性，優(yōu)于市場(chǎng)同類產(chǎn)品，具有較好的市場(chǎng)應(yīng)用前景。
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