中國科學院化學研究所有機固體實驗室董煥麗課題組在 OLET（有機發(fā)光場效應晶體管）核心高遷移率發(fā)光有機半導體材料的制備方面取得了進展。
中國科學院消息顯示，科研人員針對傳統(tǒng)垂直 OLET 器件工藝復雜、且穩(wěn)定性差和平面 OLET 器件線狀發(fā)光形態(tài)導致的開口率低等問題，提出了新型平面型面光源出射 OLET 器件結構。
據(jù)介紹，在該器件結構中，在發(fā)光單元和傳輸層之間引入一層電荷調控緩沖層（charge transport buffer layer，CTB layer），有效調控了漏極發(fā)光層下的電流分布，對于面光源出射起到重要作用。仿真模擬表明，在平面型 OFET 器件中引入 CTB 電荷傳輸層，改變了傳統(tǒng)平面 OFET 器件中的橫向電場分布，進而提升了漏電極下的電荷分布均勻性，這一現(xiàn)象通過設計劈裂電極器件結構得到了很好的證實。
值得一提的是，基于這種器件結構，研究引入合適的發(fā)光層，制備出 RGB 三基色的平面型面光源 OLET 顯示器件基元，其表現(xiàn)出良好的柵極調控能力（開關比 > 106）及不受柵壓影響的面光源發(fā)光形態(tài)。進一步源于該器件結構的靈活設計性，研究制備了基于 U 形漏電極的大開口率 OLET 顯示器件（在考慮到實際像素中配套線路和開關晶體管等必要元器件所占面積情況下，其開口率仍可 > 80%）。同時，作為一種獨特的電壓驅動顯示器件，其易實現(xiàn)飽和工作區(qū)，因而表現(xiàn)出獨立于源漏電壓的良好穩(wěn)定性。
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