IT之家 3 月 11 日消息,三星電子代工部門最近深陷負(fù)面?zhèn)髀勚小O仁怯邢⒎Q涉嫌偽造并虛報(bào) 5nm、4nm 和 3nm 工藝良率,讓高通等 VIP 客戶不得不另投臺(tái)積電,近日又被黑客竊走 200GB 數(shù)據(jù)。
不過從技術(shù)上來看,三星依然是唯一一家能夠緊跟臺(tái)積電的晶圓代工廠,而且三星在接下來的 3nm 節(jié)點(diǎn)上將更加激進(jìn),并想要在全球首次推出 GAA 晶體管工藝,放棄 FinFET 晶體管工藝(臺(tái)積電 3nm 工藝仍將基于 FinFET 工藝)。
三星正計(jì)劃在 2022 年上半年完成其 3nm GAA 工藝的質(zhì)量評估。據(jù)韓國媒體報(bào)道,三星已經(jīng)準(zhǔn)備好在韓國平澤市的 P3 工廠開工建設(shè) 3nm 晶圓廠,計(jì)劃于 6、7 月份動(dòng)工,并及時(shí)導(dǎo)入設(shè)備。
根據(jù)三星的說法,與 7nm 制造工藝相比,3nm GAA 技術(shù)的邏輯面積效率提高了 45% 以上,功耗降低了 50%,性能提高了約 35%,紙面參數(shù)上來說確實(shí)要優(yōu)于臺(tái)積電 3nm FinFET 工藝。
三星代工是三星的代工芯片制造業(yè)務(wù)部門,此前有消息稱其目前正在與客戶一起進(jìn)行產(chǎn)品設(shè)計(jì)和批量生產(chǎn)的質(zhì)量測試。該業(yè)務(wù)部門的目標(biāo)是擊敗競爭對手臺(tái)積電,在 3nm GAA 領(lǐng)域獲得“世界第一”的稱號(hào)。然而三星能否在 3nm 的性能和產(chǎn)能上滿足客戶的要求還有待觀察。
韓國遠(yuǎn)大證券的數(shù)據(jù)顯示,截至 2020 年,三星 Foundry 擁有的專利僅為 7000- 10000 項(xiàng),而其競爭對手臺(tái)積電已獲得約 3.5 萬至 3.7 萬項(xiàng)專利。因此,業(yè)界認(rèn)為三星缺乏 3nm 相關(guān)專利,這可能是個(gè)問題。
IT之家了解到,三星旗下 Galaxy 設(shè)備被黑客攻破,近 200GB 數(shù)據(jù)信息泄露,涉及合作伙伴高通機(jī)密數(shù)據(jù),數(shù)億名 Galaxy 設(shè)備用戶正在面臨著新的潛在安全風(fēng)險(xiǎn),引起業(yè)界關(guān)注。
除此之外,韓國媒體此前還報(bào)道稱,三星高管可能在試產(chǎn)階段捏造了其 5nm 以下工藝的芯片良率,以抬高三星代工業(yè)務(wù)的競爭力。隨后,三星啟動(dòng)了對原本計(jì)劃擴(kuò)大產(chǎn)能和保證良率的資金下落的調(diào)查,進(jìn)一步了解半導(dǎo)體代工廠產(chǎn)量和良率情況。
據(jù)三星內(nèi)部官員透露,“由于晶圓代工廠交付的數(shù)量難以滿足代工訂單需求,公司對非內(nèi)存工藝的良率表示懷疑,事實(shí)上基于該良率是可以滿足訂單交付的?!绷碛袠I(yè)內(nèi)人士透露,在三星為高通生產(chǎn)的驍龍 4nm 制程芯片中,良品率僅為 35%,并且三星自研的 4nm 制程 SoC 獵戶座 2200 的良率更低。
《破防了:良率低到三星自己都納悶,連夜徹查晶圓代工業(yè)務(wù)資金流向》
《消息稱臺(tái)積電獲得大量 5/3/2nm 芯片訂單,包括高通所有 3nm 應(yīng)用處理器》
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