集微網(wǎng)消息 先前傳出三星電子良率差，影響高通旗艦芯片“Snapdragon 8 Gen 1”表現(xiàn)，高通因而轉(zhuǎn)單臺積電。中國臺灣媒體最新消息稱，改由臺積電代工后，增強版“Snapdragon 8 Gen 1 Plus”耗電量仍高于預(yù)期，高通恐怕得被迫降頻。
3 月 30 日高通大跌 5.18%，收 152.73 美元。今年以來，高通挫低 16.48%。
NotebookCheck 30 日報導(dǎo)，韓國科技論壇 Meeco 的可靠爆料人，引述消息人士說法稱，高通增強版旗艦芯片 Snapdragon 8 Gen 1 Plus 的 Cortex X2 核心相當(dāng)耗能；高頻率吃電狀況尤為嚴(yán)重。外界原以為高通處理器耗電，是因三星制程欠佳，雖然此說法有一定程度真實性，新消息顯示，高通 Arm 核心設(shè)計或許也導(dǎo)致處理器表現(xiàn)差強人意。
高通可能得降頻處理器 Cortex X2 核心。這表示 Snapdragon 8 Gen 1 和 Snapdragon 8 Gen 1 Plus 性能差異不會太大。盡管如此，有臺積電加持，Plus 增強版芯片表現(xiàn)仍有望優(yōu)于非 Plus 系列。
外界盛傳 Snapdragon 8 Gen 1 Plus 將在 6 月發(fā)布。通常一個月后，采用此芯片的智能手機就會問世。多款中國大陸廠商的旗艦機將使用此處理器，包括 OnePlus 10 Ultra、華為 Mate 50、小米 Mix Fold 2、小米 12 Ultra。
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