據(jù) DIGITIMES 報道，三星電子的 3nm GAA 工藝良率仍遠遠落后于其目標。根據(jù)一份報道，三星正在努力提高其 3nm GAA 工藝良率，該工藝良率剛剛達到 10% 至 20% 之間。三星 4nm 工藝制造的良率也不盡如人意，僅為 30%-35%。
報道稱，三星計劃在 2023 年引入第二代 3 納米工藝（3GAP），屆時或?qū)㈤_始積極為代工客戶服務。
市場消息人士認為，三星第一代 3nm GAA 工藝將首先用于三星自研芯片的制造，該工藝不太可能被外部客戶采用。但該消息人士稱，三星的第二代 3nm 工藝將為外部客戶的芯片設計做好準備，預計明年開始量產(chǎn)。
該消息人士指出，臺積電在轉向 GAA 晶體管技術時是否會面臨良率問題還有待觀察。臺積電極有可能擁有基于 GAA 的 2nm，目標是在 2025 年投產(chǎn)。
據(jù)稱，三星電子規(guī)劃今年實現(xiàn) 3 納米制程芯片量產(chǎn)，不過業(yè)內(nèi)傳言當前工藝（3GAE）的試產(chǎn)良率不盡如人意，僅達到約兩成，低良率帶來的高成本，使三星在 3 納米工藝量產(chǎn)初期可能僅用于自有產(chǎn)品生產(chǎn)。
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