近日，法國半導體咨詢機構 Yole Développement 發(fā)布了有關全球碳化硅（SiC）的最新調研報告。報告顯示，SiC 器件市場將在 2027 年達到 63 億美元。
該機構資深分析師 Poshun Chiu 評論說：“SiC 是功率半導體發(fā)展的助推器，在 1200V 高壓領域也有不小的發(fā)展空間。隨著更多車用 800V 高壓快充不斷推向市場，預計 SiC 器件將在未來得到快速增長?！?/p>
意法半導體、Wolfspeed、安森美和英飛凌科技在內(nèi)的不少在 SiC 有深入布局的公司都宣布了他們的長期和短期目標。盡管每個參與者選擇的路徑不同，但他們之間商業(yè)模式的路線圖都很清晰。中國大陸的半導體企業(yè)，涉及到 SiC 業(yè)務的有超過 50 家，如下圖：
意法半導體的 SiC 模塊已經(jīng)在特斯拉 Model 3 中有過長達數(shù)年的應用，并且該公司也在拓展自己的 8 英寸 SiC 晶圓廠。安森美在 2021 年邁出重要一步，收購了一家 SiC 晶圓供應商-GT Advanced Technologies，英飛凌 2021 年 SiC 器件業(yè)務的增長率高達 126%，遠遠超出該企業(yè) 57% 的平均增長速度。英飛凌開發(fā)的 800V 快充中標現(xiàn)代汽車 Ioniq5，加上其在工業(yè)應用方面的基礎堅實，從而走向了快車道。
Wolfspeed 表示未來的業(yè)務會主要集中在 SiC 上。該公司幾年前決定進行重大重組，出售了其 LED 業(yè)務。憑借在 SiC 晶圓領域的領導地位，Wolfspeed 已經(jīng)開始上馬 8 英寸晶圓廠。同時，ROHM 在收購 Si Crystal 之后，也在不斷擴大 SiC 器件和晶圓的產(chǎn)能，進行垂直整合。而 II-VI 公司通過展示車規(guī)級 1200V 器件，加深了和通用電氣的合作關系。
報告顯示，SiC 初始晶圓成本占 1200V SiC MOSFET 的外延片成本的 60% 以上。8 英寸 SiC 晶圓是擴大生產(chǎn)規(guī)模的關鍵一步，IDM 正在開發(fā)其 8 英寸 SiC 晶圓的制造能力，但在 Yole 看來，就 SiC 功率半導體而言，6 英寸仍將是未來五年的領先平臺。8 英寸平臺也將在 2022 年開始批量上馬。
相關技術方面，DISCO 已經(jīng)開發(fā)了激光切割技術以提高產(chǎn)量，而英飛凌已經(jīng)掌握了 Cold Split 技術進行量產(chǎn)。報告顯示，未來五年，SiC 的主要應用場景依然是電動汽車領域。
廣告聲明：文內(nèi)含有的對外跳轉鏈接（包括不限于超鏈接、二維碼、口令等形式），用于傳遞更多信息，節(jié)省甄選時間，結果僅供參考，IT之家所有文章均包含本聲明。