IT之家 5 月 16 日消息，據(jù) TechPowerUp 消息，西部數(shù)據(jù)與鎧俠合作，將在今年量產(chǎn)第六代 BiCS NAND，該產(chǎn)品采用了 162 層 NAND 閃存堆疊技術(shù)。
據(jù)介紹，西部數(shù)據(jù)與鎧俠的 162 層 NAND 閃存將達(dá)到競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手 176 層的容量，而且芯片尺寸更小，單晶圓可達(dá) 100TB，比上一代的單晶圓 70TB 大幅增加。
西部數(shù)據(jù)與鎧俠還公布了未來(lái)的路線圖，2024 年的 BiCS+ 的層數(shù)超過(guò) 200 層，如果一切按計(jì)劃進(jìn)行，2032 年應(yīng)該會(huì)看到 500 層 NAND 閃存。
IT之家曾報(bào)道，2020 年，西部數(shù)據(jù)公司和鎧俠公司發(fā)布了第五代 BiCS 3D NAND，BiCS5 的設(shè)計(jì)使用了 112 層設(shè)計(jì)，密度相比上代增加了 40%。接口速度提高了 50%，達(dá)到 1.2GT / s。第六代 BiCS NAND 的參數(shù)信息預(yù)計(jì)會(huì)在今年晚些時(shí)候量產(chǎn)時(shí)公布。
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