業(yè)內(nèi)人士透露，臺積電已確定其最新 CoWoS 工藝變體 CoWoS-L 是 2.5D 封裝 4 倍全光罩尺寸的唯一解決方案，正與 HPC 芯片客戶合作，共同應(yīng)對基板端的挑戰(zhàn)，預(yù)計將于 2023-2024 年開始商業(yè)生產(chǎn)。
據(jù)《電子時報》報道，CoWoS-L 是臺積電專門針對人工智能訓(xùn)練芯片設(shè)計的，據(jù)其介紹，該工藝結(jié)合了臺積電 CoWoS-S 和信息技術(shù)的優(yōu)點，通過中介層、用于芯片間互連的本地硅互連（LSI）芯片以及用于電源和信號傳輸?shù)?RDL 層，提供了最靈活的集成。
消息人士稱，臺積電的 CoWoS 技術(shù)是專門為 HPC 設(shè)備應(yīng)用設(shè)計的 2.5D 晶圓級多芯片封裝技術(shù)，已經(jīng)投入生產(chǎn)近 10 年。憑借 CoWoS，臺積電已經(jīng)從高性能計算處理器供應(yīng)商，如 AMD 贏得了大量訂單。
臺積電傳統(tǒng)的帶硅中介層的 CoWoS 技術(shù)（CoWoS-S）已進入第五代。CoWoS-S 的硅中介層可以達到 2 倍以上全光罩尺寸（1700mm2），將領(lǐng)先的 SoC 芯片與四個以上的 HBM2 / HBM2E 堆棧集成在一起。
在臺積電為第 71 屆 IEEE 電子元器件和技術(shù)會議（ECTC）提交的一篇論文中，該公司介紹了采用一種新穎的雙路光刻拼接方法的 CoWoS-S5 技術(shù)，3 倍全光罩尺寸（2500mm2）使得硅中介層的可容納 1200mm2 的多個邏輯芯片以及八個 HBM 堆棧。除了硅中介層的尺寸增加外，還加入了新的功能，與之前的 CoWoS-S 組合相比，進一步增強了 CoWoS-S5 的電氣和熱性能。
臺積電還提供 CoWoS-R，即一種利用其 InFO 技術(shù)的 CoWoS 工藝變體，以利用 RDL 層實現(xiàn)芯片之間的互連，特別是在 HBM 和 SoC 異構(gòu)集成方面。RDL 層由聚合物和微量銅組成，具有相對的機械柔性。
消息人士稱，盡管最近大眾市場消費電子設(shè)備的需求越來越不確定，但 HPC 芯片的需求仍有希望。臺積電增強型 CoWoS-S 封裝以及-R 和-L 工藝變體將能夠滿足客戶對其高性能計算產(chǎn)品的不同需求。2022 年第一季度，HPC 芯片的訂單超過智能手機，成為臺積電最大的收入貢獻者，將推動其今年純代工收入增長。
廣告聲明：文內(nèi)含有的對外跳轉(zhuǎn)鏈接（包括不限于超鏈接、二維碼、口令等形式），用于傳遞更多信息，節(jié)省甄選時間，結(jié)果僅供參考，IT之家所有文章均包含本聲明。