當?shù)貢r間 5 月 24 日，IC Insights 根據(jù)《麥克林報告》摘編稱，在過去 30 年中，DRAM 市場的特點是經(jīng)歷了驚人的增長時期和毀滅性的崩潰年份。近年來，DRAM 市場在 2019 年下跌 37%，但在 2021 年飆升 42%。無論是什么原因，“繁榮、蕭條”的周期使主要的 DRAM 供應商的數(shù)量從 1990 年代中期的 20 家降至現(xiàn)在的 6 家。2021 年，三家最大的供應商三星、SK 海力士和美光總共占有 94% 的 DRAM 市場份額。總部設在韓國的三星和 SK 海力士去年占了全球 DRAM 銷售的 71.3%。
報告稱，憑借 44% 的市場份額，三星在 2021 年仍然是全球最大的 DRAM 供應商，銷售額達到近 419 億美元。去年，三星在多個方面推進其 DRAM 業(yè)務，包括在 2020 年 3 月率先使用極紫外（EUV）光刻技術后，于 2021 年 10 月開始大規(guī)模生產基于 EUV 的 14nm DRAM。在此過程中，三星將其最先進的 14nm DDR5 上的 EUV 層數(shù)從兩層增加到了五層 DRAM 工藝。
2021 年 11 月，三星表示，其已經(jīng)應用 EUV 技術開發(fā)了 14nm 16Gb 低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率 5X (LPDDR5X) DRAM，專門用于 5G、人工智能 (AI)、機器學習 (ML) 和其他大數(shù)據(jù)終端應用等高速率應用。該公司聲稱，LPDDR5X DRAM 的數(shù)據(jù)處理速度最高可達 8.5Gbps (比現(xiàn)有的 6.4Gbps LPDDR5 器件快 1.3 倍)，比 LPDDR5 內存節(jié)省約 20% 的功耗。此外，該公司還發(fā)布了其首個支持新型計算快速鏈接 (Compute Express Link,CXL) 互連標準的 DRAM 內存模塊，并發(fā)布了專為自主電動汽車和高性能信息娛樂系統(tǒng)設計的 2GB GDDR6 和 2GB DDR4 汽車 DRAM。
SK 海力士在 2021 年 DRAM 市場占有率為 28%，排在第二位，銷售額為 266 億美元，增長 39%。DRAM 占該公司 2021 年半導體總銷售額的約 71%，具體市場表現(xiàn)分別為：服務器 DRAM 占 40%；移動 DRAM 占 35%；PC DRAM 占 15%；消費類和顯卡 DRAM 各占 5%。2021 年，SK 海力士發(fā)布了據(jù)稱是業(yè)界最高性能的 DDR5 DRAM，其數(shù)據(jù)速度能夠每秒傳輸 163 部全高清電影。該芯片被稱為 HBM3，因為它是海力士的第三代高帶寬內存。與三星一樣，SK 海力士也開始在以第 4 代 10nm 制程 (1a nm) 為基礎的 8Gb LPDDR4 DRAM 的批量生產中使用 EUV 光刻技術。
此外，美光在 2021 年是第三大 DRAM 供應商，DRAM 銷售額增長 41% 至 219 億美元，占全球市場份額的 23%。整體而言，DRAM 占美光全年 IC 總銷售額 300 億美元的 73% 左右。2021 年，美光推出了 1a nm 內存節(jié)點。該節(jié)點由新的 CPU 平臺驅動，設計部分是為了支持數(shù)據(jù)中心向 DDR5 DRAM 的過渡，預計將在今年晚些時候開始發(fā)展，并在 2023 年獲得增長勢頭。美光的 1a nm DRAM 也被應用于低功率通信應用，包括 5G 智能手機。盡管該工藝不需要 EUV 光刻技術，但美光已經(jīng)訂購了 EUV 設備，并計劃從 2024 年開始使用其 1 伽馬 (1 gamma) 納米節(jié)點過渡到 EUV 技術來生產 DRAM。
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