中國通信設(shè)備巨頭華為提出了一種適用于 3D-DRAM 構(gòu)建的垂直通道全能（channel-all-around，CAA）晶體管。
據(jù) eeNews 報(bào)道，該提案被包含在一篇論文中，將在 2022 年 IEEE 超大規(guī)模集成電路技術(shù)和電路研討會上提交，該研討會定于 6 月 12 日至 17 日在夏威夷檀香山舉行。
該器件是一種銦鎵氧化鋅（IGZO）場效應(yīng)晶體管（FET），其 IGZO、高 k 電介質(zhì)氧化鉿和 IZO 層圍繞一個垂直柱排列。IGZO 厚度約為 3nm。HfOx 和 IZO 的厚度約為 8nm。垂直方向的通道長度為 55nm，平面內(nèi)的臨界尺寸為 50nm。
該晶體管在 Vth+1V 時(shí)達(dá)到 32.8microamps / micron 的電流密度，亞閾值擺幅為 92mV / decade。
作者聲稱，在-40 攝氏度到 + 120 攝氏度之間，該晶體管具有良好的熱穩(wěn)定性和可靠性，有望成為未來超越 1-alpha 節(jié)點(diǎn)的高性能 3D-DRAM 的候選產(chǎn)品。
廣告聲明：文內(nèi)含有的對外跳轉(zhuǎn)鏈接（包括不限于超鏈接、二維碼、口令等形式），用于傳遞更多信息，節(jié)省甄選時(shí)間，結(jié)果僅供參考，IT之家所有文章均包含本聲明。