IT之家 5 月 31 日消息，據(jù) BusinessKorea 報道，韓國進出口銀行海外經(jīng)濟研究所（OERI）估計，韓國在 DRAM 技術(shù)方面比中國領(lǐng)先 5 年，NAND 閃存方面領(lǐng)先 2 年。
該研究機構(gòu)在 5 月 30 日表示，今年中國的 DRAM 制造商長鑫存儲正在推動第二代 10nm 級（1y 或 16 納米至 17 納米）DRAM 的大規(guī)模生產(chǎn)。另一方面，三星電子和 SK 海力士正計劃在今年年底或明年大規(guī)模生產(chǎn)第五代 10nm 級（1b 或 12 納米至 13 納米）DRAM。考慮到每一代的技術(shù)差距約為兩年到兩年半，兩國的技術(shù)差距超過五年。
特別是，三星和 SK 海力士已經(jīng)引進了用于超微制造工藝的極紫外光（EUV）設(shè)備，或正計劃引進，但由于中國公司很難引進 EUV 設(shè)備，為此許多專家表示，中國要縮小與韓國的技術(shù)差距并不容易。
中國芯片制造商的良率也很低。OERI 分析說，2019 年開始批量生產(chǎn)第一代 10nm 級（1x 或 18 納米至 19 納米）DRAM 的長鑫存儲，即使兩年過去了，其良率仍在 75% 左右掙扎。據(jù)了解，其第二代 DRAM 的良率也在 40% 左右。分析師說，長鑫存儲的 DRAM 市場份額，截至去年年底還不到 1%，不會出現(xiàn)大幅反彈。
IT之家了解到，在 NAND 閃存方面，該機構(gòu)估計中國與韓國的技術(shù)差距約為兩年。中國存儲半導(dǎo)體公司長江存儲在 2021 年 8 月開始大規(guī)模生產(chǎn)第六代（128 層）3D NAND 閃存，三星和 SK 海力士自 2019 年以來一直在大規(guī)模生產(chǎn)該閃存。韓國公司計劃從今年年底到明年年初大規(guī)模生產(chǎn)超過 200 層的 NAND 閃存，但長江存儲預(yù)計要到 2024 年才能做到。
然而，一個變數(shù)是，蘋果目前正在考慮在 iPhone 中使用長江存儲的 NAND 閃存。在這種情況下，預(yù)計長江存儲將通過擴大投資大力追逐韓國芯片制造商。特別是，NAND 閃存領(lǐng)域與 DRAM 行業(yè)不同，是一個成長中的行業(yè)，所以有很多變數(shù)。專家說，如果有五六家 NAND 閃存公司迅速擴大產(chǎn)能，就會出現(xiàn)價格競爭，這可能會使 NAND 閃存市場份額的排名發(fā)生變化。
此外該機構(gòu)還稱，韓國在代工技術(shù)方面領(lǐng)先中國約 5 年。目前，韓國的三星電子和中國臺灣的臺積電正在大規(guī)模生產(chǎn) 4 至 5 納米的芯片。另一方面，中國的中芯國際處于 14 納米的水平，落后兩到三代。
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