集微網(wǎng)消息，近年來，受芯片供應(yīng)短缺以及通訊、汽車電子等產(chǎn)業(yè)強(qiáng)勁需求的推動(dòng)，國(guó)內(nèi)晶圓廠紛紛選擇擴(kuò)產(chǎn)，導(dǎo)致設(shè)備需求量攀升，國(guó)內(nèi)設(shè)備廠商有望迎來更多機(jī)遇。
據(jù)集微咨詢（JW Insights）統(tǒng)計(jì)，中國(guó)大陸共有 23 座 12 英寸晶圓廠正在投入生產(chǎn)，總計(jì)月產(chǎn)能約為 104.2 萬片，與總規(guī)劃月產(chǎn)能 156.5 萬片相比，這些晶圓廠的產(chǎn)能裝載率僅達(dá)到 66.58%，有較大擴(kuò)產(chǎn)空間。
在產(chǎn)能擴(kuò)產(chǎn)方面，上海積塔半導(dǎo)體、華虹半導(dǎo)體等企業(yè)紛紛加入其中。據(jù)澎湃新聞 5 月 5 日?qǐng)?bào)道，日前，上海積塔半導(dǎo)體明確將在上海臨港新片區(qū)投資二期項(xiàng)目，新增固定資產(chǎn)投資預(yù)計(jì)超 260 億。華虹半導(dǎo)體于 5 月 12 日發(fā)布公告稱，擬募資 180 億元，其中約 70%（125 億元）投資于華虹制造無錫項(xiàng)目；約 11%（20 億元）用于 8 英寸晶圓廠房?jī)?yōu)化升級(jí)項(xiàng)目；約 13%（25 億元）用于工藝技術(shù)創(chuàng)新研發(fā)項(xiàng)目；約 6%（10 億元）用于補(bǔ)充營(yíng)運(yùn)資金。
隨著上海積塔半導(dǎo)體、華虹半導(dǎo)體等企業(yè)產(chǎn)線加速建設(shè)，帶動(dòng)了對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備的極大需求。集微網(wǎng)根據(jù)招標(biāo)平臺(tái)數(shù)據(jù)整理統(tǒng)計(jì)，上海積塔半導(dǎo)體、華虹半導(dǎo)體等企業(yè)需求貢獻(xiàn)主要增量。今年二季度，上海積塔半導(dǎo)體、華虹半導(dǎo)體、燕東微電子、杭州積海半導(dǎo)體等企業(yè)合計(jì)招標(biāo) 1930 臺(tái)設(shè)備。
從設(shè)備類型來看，刻蝕、薄膜沉積等核心設(shè)備需求較大。其中，光刻設(shè)備 4 臺(tái)，刻蝕設(shè)備 49 臺(tái)，薄膜沉積 74 臺(tái)，工藝檢測(cè) 80 臺(tái)，離子注入 21 臺(tái)，CMP20 臺(tái)，熱處理 36 臺(tái)，清洗設(shè)備 79 臺(tái)，涂膠顯影 14 臺(tái)。
從國(guó)內(nèi)招標(biāo)企業(yè)來看，今年二季度，上海積塔半導(dǎo)體共招標(biāo) 714 臺(tái)設(shè)備，刻蝕設(shè)備、薄膜沉積、清洗設(shè)備是其重點(diǎn)采購(gòu)對(duì)象；華虹半導(dǎo)體共招標(biāo) 108 臺(tái)設(shè)備，刻蝕設(shè)備、熱處理采購(gòu)數(shù)量較多；燕東微電子共招標(biāo) 89 臺(tái)；其他企業(yè)合計(jì)招標(biāo) 1019 臺(tái)。
從國(guó)內(nèi)中標(biāo)的設(shè)備廠商來看，集微網(wǎng)根據(jù)招標(biāo)平臺(tái)數(shù)據(jù)整理統(tǒng)計(jì)，今年二季度，北方華創(chuàng)、中微半導(dǎo)體、芯源微、Tokyo Electron（東京電子）、ASML 等企業(yè)合計(jì)中標(biāo) 643 臺(tái)設(shè)備，其中，國(guó)產(chǎn)設(shè)備廠商合計(jì)中標(biāo) 387 臺(tái)設(shè)備。
北方華創(chuàng)共中標(biāo) 80 臺(tái)設(shè)備，中微半導(dǎo)體共中標(biāo) 22 臺(tái)設(shè)備，芯源微共中標(biāo) 24 臺(tái)，屹唐半導(dǎo)體共中標(biāo) 12 臺(tái)，拓荊科技共中標(biāo) 11 臺(tái)，中科飛測(cè)共中標(biāo) 7 臺(tái)，上海微電子共中標(biāo) 6 臺(tái)，華海清科共中標(biāo) 8 臺(tái)；從國(guó)外設(shè)備廠商來看，ASML 共中標(biāo) 7 臺(tái)設(shè)備，泛林半導(dǎo)體共中標(biāo) 16 臺(tái)設(shè)備，KLA 共中標(biāo) 18 臺(tái)設(shè)備，應(yīng)用材料共中標(biāo) 21 臺(tái)設(shè)備，東京電子共中標(biāo) 87 臺(tái)設(shè)備。
設(shè)備國(guó)產(chǎn)替代正當(dāng)其時(shí)，從主要環(huán)節(jié)來看，國(guó)產(chǎn)光刻、刻蝕、薄膜沉積等多點(diǎn)開花，都有不同層面的突破。
在光刻環(huán)節(jié)，ASML 中標(biāo) 5 臺(tái)光刻機(jī)，占據(jù)行業(yè)主導(dǎo)地位；上海微電子中標(biāo) 1 臺(tái)步進(jìn)式光刻機(jī)。據(jù)了解，上海微電子 SSX600 系列步進(jìn)掃描投影光刻機(jī)可滿足 IC 前道制造 90nm、110nm、280nm 關(guān)鍵層和非關(guān)鍵層的光刻工藝需求。此外，今年 2 月，上海微電子成功交付首臺(tái) 2.5D\3D 先進(jìn)封裝光刻機(jī)，這對(duì)國(guó)內(nèi)集成電路行業(yè)有著很大的意義。
在刻蝕環(huán)節(jié)，北方華創(chuàng)和中微半導(dǎo)體合計(jì)中標(biāo) 38 臺(tái)刻蝕設(shè)備，超過泛林半導(dǎo)體與東京電子的總和 19 臺(tái)。北方華創(chuàng)中標(biāo) 16 臺(tái)刻蝕設(shè)備，分別為上海積塔 13 臺(tái)、株洲中車時(shí)代 1 臺(tái)、北京大學(xué) 1 臺(tái)、上海新微半導(dǎo)體 1 臺(tái)。北方華創(chuàng) ICP（電感耦合等離子體）刻蝕技術(shù)優(yōu)勢(shì)明顯，其自主研發(fā)的 14 納米等離子硅刻蝕機(jī)已成功進(jìn)入主流項(xiàng)目產(chǎn)線。
中微半導(dǎo)體中標(biāo) 22 臺(tái)刻蝕設(shè)備，分別為華虹半導(dǎo)體 13 臺(tái)、上海積塔 8 臺(tái)、株洲中車時(shí)代 1 臺(tái)。中微半導(dǎo)體 CCP（容性耦合等離子體）刻蝕技術(shù)精良，已覆蓋 65 納米至 5 納米，在 5 納米以下也進(jìn)展順利，其 2021 年總共生產(chǎn)交付了 298 腔 CCP 刻蝕設(shè)備，產(chǎn)量同比增長(zhǎng) 40%。
在薄膜沉積環(huán)節(jié)，拓荊科技中標(biāo) 11 臺(tái)薄膜沉積設(shè)備，略低于泛林半導(dǎo)體與應(yīng)用材料的總和 15 臺(tái)。拓荊科技主要產(chǎn)品系列為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）設(shè)備、原子層沉積（ALD）設(shè)備和次常壓化學(xué)氣相沉積（SACVD）設(shè)備，廣泛應(yīng)用于國(guó)內(nèi)晶圓廠 14nm 及以上制程集成電路制造產(chǎn)線，并已展開 10nm 及以下制程產(chǎn)品驗(yàn)證測(cè)試。
目前，國(guó)內(nèi)晶圓廠正進(jìn)入加速建設(shè)期，國(guó)產(chǎn)設(shè)備廠商滲透率雖有所不足，但已開始奮起直追，光刻、刻蝕、薄膜沉積、涂膠顯影等多環(huán)節(jié)突破，北方華創(chuàng)、中微半導(dǎo)體、拓荊科技等設(shè)備廠商訂單激增，進(jìn)步明顯。
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