IT之家 7 月 2 日消息，近日長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司公開(kāi)多項(xiàng)專(zhuān)利，其中一條名稱(chēng)為“半導(dǎo)體光刻補(bǔ)償方法”，公開(kāi)號(hào)為 CN114675505A。
專(zhuān)利摘要顯示，本申請(qǐng)實(shí)施例屬于半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種半導(dǎo)體光刻補(bǔ)償方法，包括：通過(guò)機(jī)臺(tái)組合對(duì)晶圓進(jìn)行光刻，機(jī)臺(tái)組合至少包括第一機(jī)臺(tái)和第二機(jī)臺(tái)；通過(guò)第一機(jī)臺(tái)進(jìn)行光刻得到第一曝光結(jié)構(gòu)；獲取第一曝光結(jié)構(gòu)的套刻誤差的第一測(cè)量值；根據(jù)第一測(cè)量值對(duì)第二機(jī)臺(tái)的初始下貨值進(jìn)行補(bǔ)償。在進(jìn)行半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作過(guò)程中，可以通過(guò)測(cè)量第一機(jī)臺(tái)加工形成的第一曝光結(jié)構(gòu)的套刻誤差，將第一測(cè)量值對(duì)第二機(jī)臺(tái)的初始下貨值進(jìn)行補(bǔ)償，以便得到第二機(jī)臺(tái)的最優(yōu)下貨值，后續(xù)第二機(jī)臺(tái)進(jìn)行光刻時(shí)，第二機(jī)臺(tái)根據(jù)其最優(yōu)下貨值進(jìn)行光刻加工，有利于保證后續(xù)第二機(jī)臺(tái)加工形成的曝光結(jié)構(gòu)的套刻誤差準(zhǔn)確性，從而減少重工次數(shù)。
據(jù)官網(wǎng)資料，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè) 2016 年在安徽合肥啟動(dòng)。公司目前已建成第一座 12 英寸晶圓廠(chǎng)并投產(chǎn)，是規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的中國(guó)大陸 DRAM 設(shè)計(jì)制造一體化企業(yè)。
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