IT之家 7 月 16 日消息，據(jù) Sammobile 報(bào)道，三星副總裁 Younggwan Ko 最近在韓國(guó)水原舉行的一次研討會(huì)上表示，隨著存儲(chǔ)半導(dǎo)體變得更強(qiáng)大，封裝技術(shù)必須與存儲(chǔ)半導(dǎo)體一起發(fā)展。將 MSAP 工藝應(yīng)用于其 DDR6 內(nèi)存芯片將允許三星制造具有更精細(xì)電路的芯片。
另?yè)?jù) The Elec 報(bào)告稱，三星的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手已經(jīng)將 MSAP 封裝技術(shù)用于 DDR5 內(nèi)存，而三星正在努力將這種封裝技術(shù)用于 DDR6。
傳統(tǒng)的封裝方法只把要形成電路圖案的區(qū)域進(jìn)行涂覆，而將其他區(qū)域蝕刻掉。 但在 MSAP 封裝中，除了電路之外的區(qū)域都經(jīng)過涂層處理，而空白區(qū)域則進(jìn)行了電鍍，從而可以實(shí)現(xiàn)更精細(xì)的電路。
IT之家了解到，三星于本周早些時(shí)候推出了其首款用于顯卡的 24Gbps GDDR6 DRAM 芯片，報(bào)道稱，該公司處于 DDR6 開發(fā)的早期階段，根據(jù)去年的一份報(bào)告，其 DDR6 設(shè)計(jì)可能會(huì)在 2024 年完成。
預(yù)計(jì) DDR6 的速度是 DDR5 的兩倍，內(nèi)存通道數(shù)也是 DDR5 的兩倍。DDR6（JEDEC）可以實(shí)現(xiàn)大約 12800Mbps 的傳輸速率，或支持超頻到 17000Mbps。
目前，三星最快的 DDR5 DIMM 具有高達(dá) 7200 Mbps 的傳輸速度，因此 DDR6 將提高 0.7 倍，超頻下將提高 1.36 倍。
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