集微網(wǎng)消息 據(jù)臺媒報道，中國臺灣內(nèi)存廠商威剛近日正式發(fā)布 DDR5 4800 ECC U-DIMM 與 ECC SO-DIMM 工業(yè)級內(nèi)存，持續(xù)擴充 DDR5 產(chǎn)品系列，提供給客戶更多選擇，公司看好隨著新一代服務器、超級計算機、數(shù)據(jù)中心的需求增加，內(nèi)存市場占比也隨之擴大，搶占服務器、遠程醫(yī)療、邊緣運算、高效能計算機等應用商機。
威剛表示，新一代工業(yè)級內(nèi)存相較于上一代 DDR4 3200 MT / s 的傳輸速度，DDR5 在效能上顯著增長 50%，且在容量、功耗及穩(wěn)定性等方面具有更優(yōu)異的表現(xiàn)，并兼容 Intel 第 12 代 Alder Lake 處理器。
隨著相關應用對內(nèi)存性能要求的提升，新一代 DDR5 將代替 DDR4 成為主流，廣泛使用于 5G、大數(shù)據(jù)分析等對性能要求極高的領域，并帶動服務器、工作站、安防、遠程醫(yī)療、邊緣運算、高效能電腦（HPC）等應用的蓬勃發(fā)展。
根據(jù)威剛官方介紹，DDR5 ECC U-DIMM 與 ECC SO-DIMM 工業(yè)級內(nèi)存，采用了三星原廠的優(yōu)質(zhì)顆粒，共有 16GB 與 32GB 兩種容量，而且，在技術規(guī)格上，新一代 DDR5 有著顯著的優(yōu)勢，包括性能翻倍、超低功耗和散熱更強，以及具備全新雙通道的架構(gòu)，將 DDR5 內(nèi)部 64 位的帶寬，分為兩路 32 位獨立通道，從而有效提高效能、減少數(shù)據(jù)存取的延遲。
此外，DDR5 內(nèi)存具備電源管理芯片（PMIC），將電源管理的功能從主板轉(zhuǎn)到更靠近內(nèi)存，可降低主板的復雜性、提升電源轉(zhuǎn)換的效率。
與 DDR4 相比，DDR5 有了更進一步的性能優(yōu)勢。首先是內(nèi)存頻率翻倍。在 JEDEC 標準下 DDR5 內(nèi)存的引腳帶寬 (頻率) 是 DDR4 的兩倍，內(nèi)存頻率起步就是 DDR4 標準極限的 3200MHz，最高可以達到 6400MHz。
在 64bit 總位寬不變的情況下，DDR5 采用雙通道設計，將 DDR4 的單條位寬改為 2*32bit，一條內(nèi)存就能實現(xiàn)雙通道。比起曾經(jīng)單通道，單次任務只能讀或?qū)?，雙通道的 DDR5 則讀寫可以同時進行。
市場調(diào)研機構(gòu) Omdia 分析指出，對 DDR5 的市場需求從 2020 年開始逐步顯現(xiàn)，到 2022 年，DDR5 將占據(jù)整個 DRAM 市場份額的 10%，2024 年則將進一步擴大至 43%。但是對于普通消費者來說，DDR5 的普及還為時尚早。
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