IT之家 7 月 28 日消息，據(jù)浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心發(fā)布，近日浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心先進半導(dǎo)體研究院-乾晶半導(dǎo)體聯(lián)合實驗室和浙江大學(xué)硅材料國家重點實驗室在浙江省“尖兵計劃”等研發(fā)項目的資助下，成功生長出厚度達到 50 mm 的 6 英寸碳化硅單晶。該重要進展意味著，碳化硅襯底成本有望大幅降低，半導(dǎo)體碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展或?qū)⒂瓉戆l(fā)展新契機。
據(jù)介紹，碳化硅（SiC）單晶作為寬禁帶半導(dǎo)體材料，對高壓、高頻、高溫及高功率等半導(dǎo)體器件的發(fā)展至關(guān)重要。目前，國內(nèi)碳化硅單晶的直徑已經(jīng)普遍能達到 6 英寸，但其厚度通常在~20-30 mm 之間，導(dǎo)致一個碳化硅晶錠切片所獲得的碳化硅襯底片的數(shù)量相當(dāng)有限。
科研人員表示，增加碳化硅單晶厚度主要挑戰(zhàn)在于其生長時厚度的增加及源粉的消耗對生長室內(nèi)部熱場的改變。針對挑戰(zhàn)，浙江大學(xué)通過設(shè)計碳化硅單晶生長設(shè)備的新型熱場、發(fā)展碳化硅源粉的新技術(shù)、開發(fā)碳化硅單晶生長的新工藝，顯著提升了碳化硅單晶的生長速率，成功生長出了厚度達到 50 mm 的 6 英寸碳化硅單晶。而且碳化硅單晶的晶體質(zhì)量達到了業(yè)界水平。
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