集微網(wǎng)消息，8 月 10 日，蘇州納維科技研發(fā)和生產(chǎn)總部大樓封頂。
據(jù)悉，該項目于 2021 年 1 月 27 日奠基，項目占地面積超 14000 平方米，總建筑面積超 34000 平方米，將建設(shè)成為國際前三的氮化鎵（GaN）單晶襯底研發(fā)基地與高端產(chǎn)品生產(chǎn)基地，預(yù)計年產(chǎn)氮化鎵單晶襯底及外延片 5 萬片。
據(jù)蘇州納維科技官網(wǎng)，該公司成立于 2007 年，專注于高質(zhì)量氮化鎵半導(dǎo)體單晶材料的生長，已實現(xiàn) 2 英寸氮化鎵單晶襯底的生產(chǎn)、完成了 4 英寸產(chǎn)品的工程化技術(shù)開發(fā)、突破了 6 英寸的關(guān)鍵技術(shù)。
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