IT之家 9 月 4 日消息，3nm 時(shí)代，三星選擇采用環(huán)繞柵極?(GAAFET)?晶體管架構(gòu)打造 3nm 芯片，而臺(tái)積電則延續(xù)了鰭式場(chǎng)效應(yīng)管（FinFET）的方案，預(yù)計(jì)臺(tái)積電 3nm（N3）芯片將于今年下半年投產(chǎn)。
臺(tái)灣《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》稱，雖然在 3nm 世代略有保守，但無(wú)論如何，鰭片 (Fin) 寬度都已經(jīng)接近實(shí)際極限，再向下就會(huì)遇到瓶頸，所以外資法人預(yù)估臺(tái)積電 2nm 先進(jìn)制程將采用環(huán)繞式閘極場(chǎng)效電晶體 GAAFET 高端架構(gòu)生產(chǎn) 2nm 芯片。
根據(jù)臺(tái)積電官網(wǎng)顯示，臺(tái)積電將持續(xù)與全球 16 家 EDA 廠商組成電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化聯(lián)盟，其中就包括全球前 5 大 EDA 廠商。
美系外資法人指出，臺(tái)積電在先進(jìn)制程的 EDA 軟件工具方面與美國(guó)廠商關(guān)系非常密切，其多數(shù)高端設(shè)備與 IP 不僅由美商供應(yīng)，另外科磊（KLA）制程監(jiān)控設(shè)備以及 ASML 的極紫外光 EUV 光刻機(jī)，也很難由日本、歐洲、甚至中國(guó)廠商取代。
外資法人表示，未來(lái) 5 年至 10 年，全球先進(jìn)晶圓制程仍將以美系 EDA 軟件（目前主要是新思科技、益華電腦以及西門子）和矽智財(cái) IP 為核心，設(shè)計(jì)或制造芯片。
盡管 EDA 工具高度集中在美國(guó)企業(yè)名下，不過(guò)其他大廠在 EDA 方面并未缺席，例如聯(lián)發(fā)科 5 月上旬與臺(tái)大電資學(xué)院及至達(dá)科技合作，將 AI 人工智慧技術(shù)應(yīng)用于 IC 設(shè)計(jì)，帶動(dòng) EDA 智能化發(fā)展。
鴻海集團(tuán)也同樣正在積極布局半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)，旗下工業(yè)富聯(lián)在 7 月中旬透露他們正布局半導(dǎo)體鎖定先進(jìn)封裝、測(cè)試、裝備及材料、電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化軟件、芯片設(shè)計(jì)等領(lǐng)域。
亞系外資法人指出，2020 年全球 EDA 市場(chǎng)規(guī)模約 115 億美元，預(yù)估今年規(guī)模逼近 134 億美元，盡管規(guī)模不大，卻直接關(guān)系著全球超過(guò) 6000 億美元規(guī)模的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、以及全球數(shù)十兆美元規(guī)模的數(shù)字經(jīng)濟(jì)發(fā)展。
對(duì)于芯片需求前景，臺(tái)積電稱其 2023 年的增長(zhǎng)將由先進(jìn)技術(shù)支撐，高性能計(jì)算（HPC）將成為長(zhǎng)期增長(zhǎng)的主要引擎。公司目前預(yù)計(jì) 2023 年產(chǎn)能利用率將保持良好。
在下一代芯片投產(chǎn)時(shí)間點(diǎn)方面，臺(tái)積電強(qiáng)調(diào) 3nm（N3）芯片將于今年下半年投產(chǎn)，明年上半年貢獻(xiàn)營(yíng)收。IT之家提醒，臺(tái)積電的 3nm 工藝有眾多衍生版本，包括 N3、N3P、N3S、N3X、N3E，將會(huì)陸續(xù)在未來(lái)兩三年內(nèi)量產(chǎn)。
對(duì)于 2nm 芯片（N2），臺(tái)積電重申其將于 2025 年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。2nm 芯片是臺(tái)積電的一個(gè)重大節(jié)點(diǎn)，該工藝將會(huì)采用納米片晶體管（Nanosheet），取代鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FinFET），這意味著臺(tái)積電工藝正式進(jìn)入 GAA 晶體管時(shí)代。其中，2nm 芯片相較于 3nm 芯片，在相同功耗下，速度快 10~15%。在相同速度下，功耗降低 25~30%。
財(cái)報(bào)顯示，臺(tái)積電第二季度 5nm 制程晶圓出貨量占據(jù)公司營(yíng)收的 21%（前季 20%），7nm 制程晶圓出貨量占據(jù)公司營(yíng)收的 30%（前季 30%），本季度 5nm 制程工藝營(yíng)收繼續(xù)提升，但還未超過(guò) 7nm 制程工藝帶來(lái)的營(yíng)收。此外，臺(tái)積電先進(jìn)制程 (7nm 及更先進(jìn)制程) 營(yíng)收總占比達(dá)到 51%，較前季的 50% 繼續(xù)擴(kuò)大。
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