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強(qiáng)化布局,鴻海、聯(lián)電沖刺第三代半導(dǎo)體

2022/9/17 21:35:14 來源:IT之家 作者:長(zhǎng)河 責(zé)編:長(zhǎng)河

IT之家 9 月 17 日消息,據(jù)臺(tái)灣地區(qū)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道,鴻海、聯(lián)電兩大集團(tuán)沖刺第三代半導(dǎo)體。鴻海董事長(zhǎng)劉揚(yáng)偉表示,鴻海近年積極發(fā)展電動(dòng)車、數(shù)字健康和機(jī)器人三大產(chǎn)業(yè),這些產(chǎn)業(yè)都需要功率和光電半導(dǎo)體來推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新。

劉揚(yáng)偉強(qiáng)調(diào),鴻海正在建立和擴(kuò)大在第三代半導(dǎo)體的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),包括投資碳化硅基板制造商盛新材料,強(qiáng)化上游供應(yīng)鏈確?;骞?yīng),并迅速拓寬產(chǎn)品組合。

半導(dǎo)體

IT之家了解到,鴻海研究院半導(dǎo)體研究所稱,隨著 5G、電動(dòng)車、再生綠能、航空等科技發(fā)展,化合物半導(dǎo)體的重要性也隨之提升,鴻海將整合串起供應(yīng)鏈

聯(lián)電則通過轉(zhuǎn)投資聯(lián)穎光電切入第三代半導(dǎo)體,主要提供 6 寸化合物半導(dǎo)體晶圓代工服務(wù),技術(shù)涵蓋砷化鎵新一代 HBT 技術(shù)、0.15 微米 pHEMT 技術(shù)、氮化鎵高功率元件到濾波器,并跨足光電元件制造。

聯(lián)電透露,目前聯(lián)穎接單熱絡(luò),產(chǎn)能滿載,公司規(guī)劃將其中少部分的利基型硅基半導(dǎo)體產(chǎn)能,逐步轉(zhuǎn)為化合物半導(dǎo)體,縮減硅基半導(dǎo)體產(chǎn)能,目標(biāo)二至三年內(nèi),全面轉(zhuǎn)向化合物半導(dǎo)體制造。據(jù)介紹,聯(lián)穎在 6 寸第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)積累豐富經(jīng)驗(yàn)后,接下來就是全面朝 8 寸布局

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