IT之家 11 月 7 日消息，近日，國星光電研究院推出以 TO-247-4L 為封裝形式的 NSiC-KS 系列產(chǎn)品，可應(yīng)用于移動儲能、光伏逆變、新能源汽車充電樁等場景。
IT之家獲悉，隨著工業(yè) 4.0 時代及新能源汽車的快速普及，工業(yè)電源、高壓充電器對功率器件開關(guān)損耗、功率密度等性能的要求也不斷提高，新型高頻器件 SiC MOSFET 因其耐壓高、導(dǎo)通電阻低、開通損耗小等優(yōu)異特點，正在搶占新能源市場。
國星光電的封裝技術(shù)通過科學(xué)系統(tǒng)的設(shè)計，采用帶輔助源極管腳的 TO-247-4L 作為 NSiC-KS 系列產(chǎn)品的封裝形式，并將之應(yīng)用于 SiC MOSFET 上，取得分立器件在開關(guān)損耗、驅(qū)動設(shè)計等方面的新突破。
以國星光電第三代半導(dǎo)體 NSiC 系列 1200V 80mΩ 的 SiC MOSFET 產(chǎn)品為例，采用 NSiC-KS 封裝的 SiC MOSFET，避免了驅(qū)動回路和功率回路共用源極線路，實現(xiàn)了這兩個回路的解耦，使得 NSiC-KS 封裝的 SiC MOSFET 開關(guān)損耗、開通損耗均明顯降低，開關(guān)頻率更快，寄生電感與誤開啟風(fēng)險更低。
為滿足市場需求，國星光電 NSiC-KS SiC MOSFET 產(chǎn)品有多款型號選擇。同時，基于公司具備完整的 SiC 分立器件生產(chǎn)線，國星光電可根據(jù)客戶需要，提供高性能、高可靠性、高品質(zhì)的產(chǎn)品技術(shù)解決方案。
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